onsemi NVMFS5C612N Automotive-Leistungs-MOSFETs

Die Automotive-Leistungs-MOSFETs NVMFS5C612N von onsemi zeichnen sich durch einen niedrigen RDS(on), eine geringe QG und Gate-Kapazität zur Reduzierung von Leitungs- und Schaltverlusten aus. Die Automotive-Leistungs-MOSFETs NVMFS5C612N von onsemi sind in einem 5 mm × 6 mm Flat-Lead-Gehäuse untergebracht, das für hohe thermische Leistung ausgelegt ist. Zu den typischen Anwendungen gehören der Batterieverpolungsschutz, Schaltnetzteile, Leistungsschalter, Magnettreiber, Motorsteuerungen und Lastschalter.

Merkmale

  • Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
  • Geringe QG, Kapazität und Gate-Ladung zur Minimierung von Schaltverlusten
  • Kompaktes Design und Footprint von 5 mm × 6 mm
  • Verbesserte optische Inspektion
  • AEC-Q101-qualifiziert und Produktionsteil-Abnehmeverfahren (PPAP) fähig
  • RoHS-konform
  • Automotive-Design, das eine hohe thermische Leistungsfähigkeit umfasst

Applikationen

  • Batterieverpolungsschutz
  • Magnettreiber
  • Schaltnetzteile
  • Leistungsschalter
  • Motorsteuerung
  • Lastschalter

Schaltschema

Applikations-Schaltungsdiagramm - onsemi NVMFS5C612N Automotive-Leistungs-MOSFETs
Veröffentlichungsdatum: 2020-02-26 | Aktualisiert: 2025-11-24