onsemi NVHL025N065SC1 Siliziumkarbid (SiC) -MOSFETs
Die Siliziumkarbid (SiC) -MOSFETs NVHL025N065SC1 von onsemi sind EliteSiC MOSFETs mit 25 mΩ und 650 V, die eine hervorragende Schaltleistung bieten. Die MOSFETs NVHL025N065SC1 vononsemi bietet eine höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium und einen niedrigen On-Widerstand. Die kompakte Chip-Größe der MOSFETs gewährleistet eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Vorteilen des Systems gehören der hohe Wirkungsgrad, die schnelle Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, reduzierte EMI und reduzierte Systemgröße.
Merkmale
- Typ. RDS(on) = 19 m bei VGS = 18 V
- Typ. RDS(on) = 25 m bei VGS = 15 V
- Extrem niedrige Gate-Ladung (QG(tot) = 164 nC)
- Niedrige Kapazität (Coss = 278 pF)
- 100 % Avalanche-geprüft
- AEC-Q101-qualifiziert und Produktionsteil-Abnehmeverfahren (PPAP) fähig
- Bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- On-Board-Ladegeräte im Automobilbereich
- DC/DC-Wandler für EV/HEV im Automobilbereich
Applikations-Schaltungsdiagramm
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Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit bietet.
Weitere Infos zu EliteSiC
onsemi EliteSiC
Erfüllt die Anforderungen von anspruchsvollen Applikationen, wie z. B. solar-Wechselrichter und Ladegeräte für Elektrofahrzeuge.
Veröffentlichungsdatum: 2024-02-14
| Aktualisiert: 2024-06-18