onsemi NTBG028N170M1 1700 V-Siliziumkarbid (SIC) -MOSFET
Der onsemi NTBG028N170M1 1700 V Siliziumkarbid (SIC)-MOSFET ist für schnellschaltende Applikationen optimiert. Die MOSFETs von onsemi verfügen über eine Planar-Technologie, die zuverlässig mit negativen Gate-Spannungsantrieben arbeitet und Spitzen am Gate ausschaltet. Diese Produktfamilie bietet eine optimale Leistung, wenn sie mit 20 V Gateantrieb betrieben wird, funktioniert aber auch gut mit 18 V Gateantrieb.
Merkmale
- Typ. RDS(on) = 28 mΩ
- Ultra-niedrige Gate-Ladung (QG(tot) = 222 nC, typisch)
- Niedrige effektive Ausgangskapazität (Coss = 200 pF)
- 100 % Avalanche-getestet
- RoHS-konform
Applikationen
- USV
- DC/DC-Wandler
- Aufwärtswandler
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Veröffentlichungsdatum: 2022-11-10
| Aktualisiert: 2023-11-02