onsemi NDSH40120CDN Siliziumkarbid(SiC)-Schottky-Diode
Die onsemi NDSH40120CDN Siliziumkarbid(SiC)-Schottky-Diode bietet im Vergleich mit Silizium eine bessere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit. Die Diode von onsemi hat keinen Sperrverzögerungsstrom, ein temperaturunabhängiges Schaltverhalten und eine hervorragende thermische Leistung. Weitere Systemvorteile umfassen den höchsten Wirkungsgrad, eine schnellere Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI, eine kleinere Systemgröße und niedrigere Kosten.
Merkmale
- Maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C
- Avalanche-Einstufung: 166 mJ
- Hohe Überstromfestigkeit
- Positiver Temperaturkoeffizient
- Vereinfachte Parallelschaltung
- Keine Sperrverzögerung/keine Durchlassverzögerung
- Dieses Bauteil ist halogenfrei und RoHS-konform mit der Ausnahme von 7a, bleifrei 2LI (auf Second Level Interconnection)
Applikationen
- Universal-Applikationen
- SNT, Solarwechselrichter, USV
- Leistungsschaltungen
Verwandte Produkte
onsemi 1.200-V-SiC-Schottky-Dioden
Liefern eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit zu Silizium-basierten Bauteilen.
Zugehörige Lösungen
onsemi EliteSiC
Erfüllt die Anforderungen von anspruchsvollen Applikationen, wie z. B. solar-Wechselrichter und Ladegeräte für Elektrofahrzeuge.
Veröffentlichungsdatum: 2022-11-10
| Aktualisiert: 2024-06-19