onsemi FGY100T120RWD IGBTs
Die FGY100T120RWD IGBTs von onsemi vereinen eine neuartige Feldstopp-IGBT-Technologie der 7. Generation in einem TO247-Gehäuse mit 3 Anschlüssen. Der FGY100T120RWD verfügt über eine optimale Leistung, geringe Leitungsverluste und eine gute Schaltsteuerbarkeit. Die FGY100T120RWD-IGBTs von onsemi bieten einen Betrieb mit hohem Wirkungsgrad in verschiedenen Applikationen, einschließlich Motorsteuerung, USV, Rechenzentrum und Hochleistungsschalter.
Merkmale
- Niedriger Leitungsverlust und optimiertes Schalten
- Maximale Sperrschichttemperatur von TJ = +175 °C
- Positiver Temperaturkoeffizient für einfachen Parallelbetrieb
- Hohe Strombelastbarkeit
- 100 % der Teile werden dynamisch getestet
- Kurzschlussbewertet
- RoHS-konform
- TO247 3-Leiter-Paket
Applikationen
- Motorsteuerung
- USV
- Allgemeine Anwendung, die einen Hochleistungsschalter erfordert
Technische Daten
- 100 A Kollektorstrom
- 1,4 V VCE (SAT)
- 1200 V Kollektor-zu-Emitter-Spannung
- Kurzschlussfestigkeitszeit: 5 µs
- Gepulster Kollektorstrom: 300 A
Typische Applikation
Ausgangseigenschaften
Veröffentlichungsdatum: 2023-04-18
| Aktualisiert: 2023-11-29