onsemi C-Baureihe Silizium-Fotomultiplizierer-Sensoren (SiPM)

Die Silizium-Fotomultiplizierer-Sensoren (SiPM) der C-Baureihe von onsemi verfügen über branchenführende niedrige Dunkelzahlraten von 30 kHz/mm2 zusammen mit einer außergewöhnlichen Homogenität der Durchbruchspannung von ±250 mV. Der hohe Photonendetektions-Wirkungsgrad (PDE) geht mit einem hochvolumigen CMOS-Verfahren weit über den blauen Bereich des Spektrums hinaus. Diese Sensoren sind in Größen von 1 mm, 3 mm und 6 mm und in zahlreichen Mikrozellen-Größen verfügbar. Sie sind in einem zusammenlegbaren geformten Leiterrahmen-Gehäuse (MLP) untergebracht, das mit den bleifreien, Reflow-Löt-Industriestandard-Verfahren kompatibel ist. Darüber hinaus unterstützt die C-Baureihe eine einzigartige Schnellausgabe für schnelle Timing-Applikationen.

Merkmale

  • >40 % PDE bei 410 nm und erweiterte Empfindlichkeit gegenüber 300 nm für eine bessere UV-Empfindlichkeit
  • Extrem niedrige Dunkelzahlraten von 30 kHz/mm2
  • Außergewöhnliche Homogenität der Durchbruchspannung von ±250 mV über alle Produkte der C-Baureihe
  • Temperaturstabilität von 21,5 mV/°C
  • Extrem schnelle Anstiegszeiten von 300 ps mit einer Pulsbreite von 600 ps von einem „Schnellausgabe“-Anschluss
  • Vorspannung von <30 V
  • Sensorgrößen von 1 mm, 3 mm und 6 mm
  • Solid-State-Alternative zu älteren PMTs für eine große Auswahl von Applikationen
  • Die hohe Gain von 106 führt zu einer Einzelphotonen-Empfindlichkeit
  • Beste Vbr-Homogenität der Branche
  • Kompaktes, robustes Gehäuse
  • Evaluierungsboards mit entweder SMA-Steckverbindern oder Pins sind für eine einfache Evaluierung verfügbar

Applikationen

  • Medizinische Bildverarbeitung
  • Gefahren und Bedrohung
  • 3D-Entfernung und -Erfassung
  • Biophotonik und Wissenschaften
  • Hochenergiephysik
Veröffentlichungsdatum: 2018-11-16 | Aktualisiert: 2025-07-16