onsemi FFSx0865B-F085 650-V-SiC-Schottky-Dioden

Die FFSx0865B-F085 650-V-Siliziumkarbid-Schottky-Dioden mit 8 A von onsemi verwenden eine Technologie, die eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit bietet. Die FFSx0865B-F085 SiC-Dioden haben keinen Sperrverzögerungsstrom und verfügen über temperaturunabhängige Schalteigenschaften sowie eine hervorragende thermische Leistung. Weitere Vorteile umfassen den höchsten Wirkungsgrad, eine schnellere Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI, eine kleinere Systemgröße und niedrigere Kosten. Die FFSx0865B-F085 650-V-SiC-Schottky-Dioden mit 8 A sind in einem D2PAK-3-Gehäuse verfügbar.

Merkmale

  • Sperrschichttemperatur: +175 °C (max.)
  • Avalanche-Beständigkeit: 33 mJ
  • Hohe Stromstoßfestigkeit
  • Positiver Temperaturkoeffizient
  • Vereinfachte Parallelschaltung
  • Keine Sperrverzögerung/keine Durchlassverzögerung
  • AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
  • Bleifrei
  • Halogenfrei/BFR-frei
  • RoHS-konform

Applikationen

  • Automotive-On-Board-HEV-EV-Ladegeräte
  • Automotive-HEV-EV-DC/DC-Wandler

Elektrische Verbindung

Schaltungsanordnung - onsemi FFSx0865B-F085 650-V-SiC-Schottky-Dioden
View Results ( 2 ) Page
Teilnummer Datenblatt Verpackung/Gehäuse Ifsm - Durchlass-Stoßstrom Pd - Verlustleistung
FFSD0865B-F085 FFSD0865B-F085 Datenblatt DPAK-3 (TO-252-3) 42 A 91 W
FFSB0865B-F085 FFSB0865B-F085 Datenblatt D2PAK-2 56 A 73 W
Veröffentlichungsdatum: 2019-11-07 | Aktualisiert: 2024-02-05