Nexperia PSMN n-Kanal-MOSFETs

Nexperia PSMN n-Kanal-MOSFETs

Die PSMN n-Kanal-MOSFETs von Nexperia umfassen Standard- und Logikpegel, regelmäßiger und Erweiterungsmodus, N-Kanal-MOSFETs in LFPAK, D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220F, und DFN3333-8 Gehäusen mit 150 °C oder 175 °C. Diese PSMN n-Kanal MOSFETs von Nexperia sind für den Einsatz in einer Vielzahl von Industrie-, Kommunikations- und Haushaltsgeräten konzipiert und qualifiziert. Die NXP n-Kanal-MOSFETs mit Logikpegel-Erweiterungsmodus im LFPAK-Gehäuse ermöglichen sehr niedrige QG, QGD und QOSS für eine hohe Systemeffizienz bei niedrigen und hohen Lasten, einen sehr niedrigen RDS(on) und eine niedrige parasitäre Induktivität. Sie sind für den Einsatz mit 4,5V Gatetreibern, die auf der NextPower-Superjunction-Technologie basieren, optimiert. Die NXP Standard- und Logikpegel-n-Kanal MOSFETs im I2PAK- und TO-220-Gehäuse bieten einen hohen Wirkungsgrad durch geringe Schalt- und Leitungsverluste und eignen sich für Standard- oder Logikpegel-Gatetreiberquellen.

Merkmale und Vorteile
  • Hoher Wirkungsgrad durch geringe Schalt- und Leitungsverluste
  • Für Standard- oder Logikpegel-Gatetreiberquellen geeignet
Applikationen
  • DC-DC-Wandler
  • Lithium-Ionen-Batterieschutz
  • Lastschaltung
  • Power OR-ing
  • Server-Netzteile
  • Sync-Gleichrichter
  • Motorsteuerung
Teile-Nr.Gehäuse/HülleVds - Drain-Source-DurchschlagspannungId - Drain-GleichstromRds On - Drain-Source-WiderstandQg - Gate-LadungPd - VerlustleistungDatenblatt








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Merkmale und Vorteile
  • Hoher Wirkungsgrad durch geringe Schalt- und Leitungsverluste
  • Für Standard- oder Logikpegel-Gatetreiberquellen geeignet
Applikationen
  • DC-DC-Wandler
  • Lithium-Ionen-Batterieschutz
  • Lastschaltung
  • Power OR-ing
  • Server-Netzteile
  • Sync-Gleichrichter
  • Motorsteuerung
Teile-Nr.Gehäuse/HülleVds - Drain-Source-DurchschlagspannungId - Drain-GleichstromRds On - Drain-Source-WiderstandQg - Gate-LadungPd - VerlustleistungDatenblatt








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Merkmale und Vorteile
  • Sehr zuverlässiges Power SO8-Gehäuse, für bis zu 175°C qualifiziert
  • Optimiert für den Einsatz mit 4,5 V Gatetreibern, die auf der NextPower-Superjunction-Technologie basieren
  • Sehr niedrige QG, QGD und QOSS für hohe Systemeffizienz bei niedrigen und hohen Lasten
  • Sehr niedriger RDS(on) und niedrige parasitäre Induktivität
Applikationen
  • DC-DC-Wandler
  • Lithium-Ionen-Batterieschutz
  • Lastschaltung
  • Power OR-ing
  • Server-Netzteile
  • Sync-Gleichrichter
  • Motorsteuerung
Teile-Nr.Gehäuse/HülleVds - Drain-Source-DurchschlagspannungId - Drain-GleichstromRds On - Drain-Source-WiderstandQg - Gate-LadungPd - VerlustleistungDatenblatt








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Merkmale und Vorteile
  • Hoher Wirkungsgrad durch geringe Schalt- und Leitungsverluste
  • Isoliertes Gehäuse
  • Für Standard- oder Logikpegel-Gatetreiberquellen geeignet
Applikationen
  • DC-DC-Wandler
  • Lithium-Ionen-Batterieschutz
  • Lastschaltung
  • Power OR-ing
  • Server-Netzteile
  • Sync-Gleichrichter
  • Motorsteuerung
Teile-Nr.Gehäuse/HülleVds - Drain-Source-DurchschlagspannungId - Drain-GleichstromRds On - Drain-Source-WiderstandQg - Gate-LadungPd - VerlustleistungDatenblatt








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