Nexperia LFPAK p-Kanal-Trench-MOSFETs
Nexperia LFPAK p-Kanal-Trench-MOSFETs sind gemäß AEC-Q101-Standards zur Verwendung in Hochleistungs-Fahrzeuganwendungen ausgelegt und zugelassen. Diese MOSFETs verfügen über eine hohe thermische Verlustleistungsfähigkeit. Die p-Kanal-MOSFETs sind in einem LFPAK56-Kunststoffgehäuse (Power SO8) zur Oberflächenmontage (SMD) verfügbar Diese MOSFETs von Nexperia eignen sich aufgrund einer Nenntemperatur von 175°C für thermisch anspruchsvolle Umgebungen. Zu den typischen Applikationen gehören Batterie-Verpolungsschutz, Leistungsmanagement, High-Side-Lastschalter und Motorantrieb.
Merkmale
- Hohe thermische Verlustleistung
- Nenntemperatur von +175 °C für thermisch anspruchsvolle Umgebungen
- Trench-MOSFET-Technologie
- AEC-Q101-qualifiziert
- LFPAK56 (Power SO8) SMD-Kunststoffgehäuse
Applikationen
- Batterie-Verpolungsschutz
- Leistungsmanagement
- High-Side-Lastschalter
- Motorantrieb
Applikations-Schaltung – Diagramm
LFPAK56 Footprint – Übersicht
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| Teilnummer | Datenblatt | Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung | Id - Drain-Gleichstrom | Rds On - Drain-Source-Widerstand | Qg - Gate-Ladung | Pd - Verlustleistung |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK6Y24-40PX |  |
40 V | 39 A | 24 mOhms | 23 nC | 66 W |
| BUK6Y61-60PX | |
60 V | 25 A | 61 mOhms | 20 nC | 66 W |
| PSMP033-60YEX | |
60 V | 30 A | 33 mOhms | 46 nC | 110 W |
| BUK6Y10-30PX | |
30 V | 80 A | 10 mOhms | 42.5 nC | 110 W |
| BUK6Y14-40PX | |
40 V | 64 A | 14 mOhms | 42.7 nC | 110 W |
| BUK6Y19-30PX | |
30 V | 45 A | 19 mOhms | 23 nC | 66 W |
| BUK6Y33-60PX | |
60 V | 30 A | 33 mOhms | 46 nC | 110 W |
| PSMP061-60YEX | |
60 V | 25 A | 61 mOhms | 20 nC | 66 W |
Veröffentlichungsdatum: 2020-05-21
| Aktualisiert: 2024-05-03