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Wolfspeed 1.200 V C4MS Diskrete SiC-MOSFETs

1.200 V C4MS Diskrete Siliciumcarbid(SiC)-MOSFETs von Wolfspeed bieten eine unübertroffene Leistung in hartgeschalteten Applikationen. Die C4MS-Produktfamilie verwendet eine schnelle und weiche Body-Diode, die ein schnelles Schalten mit minimalem Überschwingen und Nachschwingen ermöglicht und somit den nutzbaren Designraum für Ingenieure erweitert, um die Leistung in der Applikation abzustimmen und zu optimieren. Die C4MS-Produktfamilie bietet im Vergleich zur C3M-Produktfamilie verbesserte Eon-, ERR- und Eoff-Verluste bei gleichzeitig niedrigem RDS(on)-Temperaturkoeffizienten. Dieser ausgewogene Ansatz gewährleistet maximale Leistung und Effizienz über eine große Auswahl an hart- und weichschaltenden Topologien hinweg.

Zusätzlich zur verbesserten Schaltleistung bietet die 1.200 V C4MS-Produktfamilie von Wolfspeed eine transiente Überspannungsfestigkeit, eine erhöhte Lebensdauer bei erhöhten Busspannungen und eine breite Gate-Spannungskompatibilität, was eine vereinfachte Drop-in-Fähigkeit ermöglicht.

Merkmale

  • Niedrige Eon- und ERR-Werte
  • Weiche Body-Diode mit geringem Überschwingen und Nachschwingen
  • Niedriger RDS(on)-Temperaturkoeffizient
  • Hohes Ciss/Crss-Verhältnis
  • Breiter Gate-Spannungskompatibilitätsbereich [-4 V bis 0 V/15 V bis 18 V]
  • Hohe Transientenspannungskompatibilität
  • Das U2-Gehäuse ist Pin-zu-Pin-kompatibel mit anderen oberseitengekühlten (TSC) Gehäusen
  • Ideal für hartgeschaltete Applikationen
  • Geringere Verluste ermöglichen höhere Effizienz bei Schaltfrequenz und Kühlungsanforderungen
  • Ermöglicht eine Preis-Leistungs-Optimierung auf Systemebene

Applikationen

  • Niederspannungs-Industrieantriebe
  • Netzteil
  • Servoantriebe
  • Schnelles Laden
  • Energiespeichersysteme
  • Solar (kommerzielle Applikationen)

Gehäuse

Tabelle - Wolfspeed 1.200 V C4MS Diskrete SiC-MOSFETs
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Teilnummer Datenblatt Beschreibung
C4MS025120J2-TR C4MS025120J2-TR Datenblatt SiC-MOSFETs SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
C4MS025120K C4MS025120K Datenblatt SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 25mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial
C4MS025120K1 C4MS025120K1 Datenblatt SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 25mohm, 1200V, TO-247-4-LP, Industrial
C4MS025120U2-TR C4MS025120U2-TR Datenblatt SiC-MOSFETs SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TSC (U2), Industrial
C4MS036120J2-TR C4MS036120J2-TR Datenblatt SiC-MOSFETs SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
C4MS036120K C4MS036120K Datenblatt SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial
C4MS036120K1 C4MS036120K1 Datenblatt SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4-LP, Industrial
C4MS036120U2-TR C4MS036120U2-TR Datenblatt SiC-MOSFETs SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TSC (U2), Industrial
C4MS047120J2-TR C4MS047120J2-TR Datenblatt SiC-MOSFETs SiC, MOSFET,47mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
C4MS047120K C4MS047120K Datenblatt SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial
Veröffentlichungsdatum: 2025-12-02 | Aktualisiert: 2025-12-19