Winbond W66BP6NB/W66CP2NQ SDRAM LPDDR4

Winbond W66BP6NB/W66CP2NQ SDRAM LPDDR4 bietet ein Single-Die-Package (SDP) oder Dual-Die-Package (DDP) und eine 2- oder 4-Takt-Architektur auf dem Command/Address (CA) BUS. Der LPDDR4 nutzt die 2- oder 4-Takt-Architektur auf dem CA-BUS, um die Anzahl der Eingangspins im System zu reduzieren. Der 6-Bit CA-BUS enthält die Befehls-, Address- und Bankinformationen. Jeder Befehl verwendet einen 1-, 2- oder 4-Taktgeber, in dem die Befehlsinformationen auf der positiven Edge des Taktgebers übertragen werden.

Das Single-Die-Package (SDP) bietet 16 Mb x 16 DQ x 8-Bänke x 1-Kanal mit 2 Gb (2.147.483.648 Bit) Dichte. Das Dual-Die-Package (DDP) bietet 16 Mb x 16 DQ x 8-Bänke x 2 Kanäle mit 4 Gb (4.294.967.296 Bit) Dichte.

Merkmale

  • VDD1 = 1,7 V bis 1,95 V
  • VDD2/VDDQ = 1,06 V bis 1,17 V
  • Datenbreite von x16/x32
  • Taktgeber Rate von bis zu 2133 MHz
  • Datenrate von bis zu 4267 Mbps
  • 8 interne Bänke für Parallelbetrieb
  • 16n Vorabrufvorgang
  • LVSTL_11 Schnittstelle
  • Burst-Länge von 16, 32, on-the-fly 16 oder 32
  • Sequentielle Burst-Ausführung
  • Programmierbare Treiberstärke
  • Kodierter Befehlseingang in Doppeltaktgeber-Edges
  • Einzelne Datenratenarchitektur auf dem CA BUS
  • Doppelte Datenratenarchitektur auf den DQ-Pins
  • Differenzieller Taktgebereingang
  • Bidirektionales differenzielles Daten-Strobe
  • Taktgebereingangstop und Frequenzänderung
  • On-Die-Endenabschluss (ODT)
  • Schreiblastausgleichsunterstützung
  • Programmierbare Lese- und Schreiblatenzen (RL/WL)
  • CA-Training Unterstützung
  • DQ-DQS-Training
  • Aktualisierungsfunktionen:
    • Automatische Aktualisierung (pro Bank/alle Bänke)
    • Teilweise Array-Selbstaktualisierung
    • Automatische temperaturkompensierte Selbstaktualisierung
  • Gehäuse Nachreparatur
  • Zielreihen-Aktualisierungsmodus
  • Frequenz-Set-Points für schnellen Frequenzschalter
  • Unterstützt Schreibmaske und Datenbus-Inversion (DBI)
  • Unterstützung Boundary-Prüfung für Anschlussfähigkeitstest
  • WFBGA 200 Ball-Gehäuse (10 mm x 14,5 mm2)
  • -40 °C ≤ TCASE ≤ 105 °C Betriebstemperaturbereich

Ball-Zuweisungen

Blockdiagramme

Veröffentlichungsdatum: 2022-03-03 | Aktualisiert: 2026-01-15