Vishay General Semiconductor 2. Generation der TMBS Trench MOS Barrier Schottky-Gleichrichter
Die 2. Generation der TMBS Trench MOS Barrier Schottky-Gleichrichter von Vishay Semiconductors sind die 2. Generation von Trench MOS Barrier Schottky-Gleichrichtern von Vishay. Sie bieten einen geringen Durchlassspannungsabfall und niedrige Leistungsverluste sowie einen hohen Wirkungsgrad im Betrieb. Typische Anwendungen: Hochfrequenz-DC-DC-Wandler, Schaltnetzteile, Freilaufdioden, ORing-Dioden und Verpolschutz.
Merkmale
- Forward voltage drop down to 0.36V
- 30A to 40A current ratings
- Up to 20mV lower forward voltage than previous-generation devices
- Offered in TO-220AB package
- Reduces power losses
- Improves efficiency
- +150°C maximum operating junction temperature
- RoHS-compliant and halogen-free
Applikationen
- High frequency DC/DC converters, switching power supplies, freewheeling and OR-ing diodes, and reverse battery protection
- 65W USB Type-C power delivery for notebook computers and mobile devices
Veröffentlichungsdatum: 2015-03-19
| Aktualisiert: 2022-03-11