Vishay / Siliconix SQJ211ELP 100-V-p-Kanal-Automotive-MOSFET
Der Vishay/Siliconix SQJ211ELP 100-V-p-Kanal-Automotive-MOSFET bietet einen Drain-Source-Strom von -100 VDS in einem PowerPAK®-SO-8L-Gehäuse mit Knickflügelleitungen. Dieser MOSFET verfügt über einen Einschaltwiderstand von bis zu 30 Ω bei 10 V und eine maximale Betriebstemperatur von +175 °C. Der SQJ211ELP 100-V-Automotive-p-Kanal-MOSFET von Vishay/Siliconix ist AEC-Q101-qualifiziert, 100% Rg- und UIS-getestet, RoHS-konform und halogenfrei.
Merkmale
- TrenchFET®-Leistung
- AEC-Q101-qualifiziert
- 100 % Rg- und UIS-getestet
- RoHS-konform
- Einschaltwiderstand: bis hinunter zu 30 Ω bei 10 V
- Gate-Ladung: bis hinunter zu 45 nC bei 10 V
- Knickflügelleitungen erhöhen die Zuverlässigkeit auf Boardebene
- PowerPAK-SO-8L-Gehäuse mit Knickflügelleitungen
- Halogenfrei
- Bleifrei
Applikationen
- Verpolungsschutz
- Batteriemanagement
- High-Side-Lastschaltung
- LED-Beleuchtung in Fahrzeugen
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Veröffentlichungsdatum: 2020-11-19
| Aktualisiert: 2024-12-17