Vishay / Siliconix SiHH080N60E E-Baureihe Leistungs-MOSFETs
Vishay/Siliconix SiHH080N60E E-Baureihe Leistungs-MOSFETs bieten die E-Baureihentechnologie der 4. Generation in einem PowerPAK® 8-x-8-Gehäuse. Die SiHH080N60E MOSFETs nutzen eine niedrige Ron x Qg-Gütezahl (FOM) und eine niedrige effektive Kapazität (Co(er)). Die geringeren Schalt- und Leitungsverluste der SiHH080N60E E-Baureihe von Vishay/Siliconix sind mit einer Drain-Source-Spannung von 650 V und einer Gate-Gesamtladung von 63 nC optimiert.
Die SiHH080N60E Leistungs-MOSFETs der E-Baureihe eignen sich hervorragend für Server-, Telekommunikations-Leistungs-, Schaltmodus(SNT)- und Blindleistungskompensations(PFC)-Netzteile.
Merkmale
- E-Baureihen-Technologie der 4. Generation
- Niedrige Ron x Qg-Gütezahl (FOM)
- Niedrige Effektivleistung (Co(er))
- Geringere Schalt- und Leitungsverluste
- UIS-eingestuft (Avalanche Energy Rated)
Applikationen
- Server- und Telekommmunikations-Netzteile
- Schaltnetzteile (SNT)
- Stromversorgung mit Blindleistungskompensation (PFC)
- Beleuchtung
- Hochdruckentladung (HID)
- Vorschaltgeräte für Leuchtstoffröhren
- Industrie
- Schweißen
- Induktionserhitzer
- Motorantriebe
- Akkuladegeräte
- Solar (PV-Wechselrichter)
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Verfügen über eine niedrige FOM, eine niedrige Betriebskapazität und geringere Schalt- sowie Leitungsverluste.
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Schaltplan
Veröffentlichungsdatum: 2021-03-10
| Aktualisiert: 2022-03-11