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Vishay Semiconductors TA6FxxCA PAR® Überspannungsschutzvorrichtungen

Die Überspannungsschutzvorrichtungen TA6FxxCA PAR® von Vishay Semiconductors sind bidirektional und verfügen über eine Spitzenimpulsleistung von 600 W mit einer Wellenform von 10/1000 μs. Die Bauteile haben ein Gehäuse mit sehr niedrigem Profil mit einer typischen Höhe von 0,95 mm. Diese Überspannungsschutzvorrichtungen sind für eine Betriebstemperatur von TJ = 185 °C ausgelegt und eignen sich für Anforderungen mit hoher Zuverlässigkeit und in Fahrzeuganwendungen. Die Überspannungsschutzvorrichtungen TA6FxxCA PAR® von Vishay Semiconductors sind werden mit einem optimierten Design mit Anschlusspassivierung und passivierter anisotroper Gleichrichtertechnologie hergestellt und über eine ausgezeichnete Klemmfähigkeit verfügt.

Merkmale

  • Sehr niedriges Profil mit einer typischen Höhe von 0,95 mm
  • Optimiertes Design mit Anschlusspassivierung und passivierter anisotroper Gleichrichtertechnologie
  • TJ = 185 °C Kapazität geeignet für Anforderungen mit hoher Zuverlässigkeit und in Fahrzeuganwendungen.
  • Für die automatische Bestückung geeignet
  • Bidirektional
  • Hervorragende Klemmfähigkeit
  • Spitzenimpulsleistung von 600 W (10/1000 μs)
  • AEC-Q101-qualifiziert
  • ESD-Fähigkeit gemäß IEC 61000-4-2
    • 30 kV (Luft)
    • 30 kVA (Kontakt)
  • Erfüllt MSL-Stufe 1 gemäß J-STD-020, LF-Spitzenwert von 260 °C
  • SlimSMA-Gehäuse (DO-221AC)
  • Die Formmasse erfüllt die Brennbarkeitsklasse UL 94 V-0
  • Die Basis P/NHM3 ist halogenfrei, RoHS-konform und AEC-Q101-qualifiziert
  • Anschlüsse sind mattverzinnt, lötbar gemäß J-STD-002 und JESD22-B102
  • HM3-Suffix erfüllt den Whisker-Test gemäß JESD 201 Klasse 2
  • Polarität (kein Kathodenband für bidirektionale Typen)

Technische Daten

  • Durchschlagspannung (VBR) von 12 V bis 100 V verfügbar
  • Sperrspannung (VWM) von 10,2 V bis 85,5 V verfügbar
  • Spitzenimpuls-Verlustleistung (PPPM) von 8 W
  • Maximale Sperrschicht-Betriebstemperatur von 185 °C

Applikationen

  • Für den Schutz empfindlicher Elektronik gegen Spannungstransienten, die durch induktives Lastschalten und Blitzeinschläge verursacht werden bei:
    • ICs
    • MOSFETs
    • Signalleitungen von Sensoreinheiten für Fahrzeuge

Gehäuseaußenabmessungen

Technische Zeichnung - Vishay Semiconductors TA6FxxCA PAR® Überspannungsschutzvorrichtungen
Veröffentlichungsdatum: 2025-01-08 | Aktualisiert: 2025-01-23