Vishay Semiconductors eSMP®-Gehäuse-Evolution

Dioden und Gleichrichter von Vishay Semiconductors im eSMP®-Gehäuse (enhanced Surface-Mount Power, eSMP) liefern einen höheren Strom- und Energiewirkungsgrad mit einem einzigartigen Design, dank dem eine bessere thermische Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit gefördert wird. Diese platzsparenden Miniaturgeräte weisen ein niedriges Profil auf und sind in asymmetrischen und symmetrischen Flachbauformen erhältlich. Zu den typischen Applikationen gehören die Automobil-, Industrie- und Telekommunikationsbranche.

SMA-Legacy-Gehäuse

Technische Zeichnung - Vishay Semiconductors eSMP®-Gehäuse-Evolution

eSMP-Gehäuse von SMA-Legacy

Merkmale

  • SMP (DO-220AA)
    • Platzeinsparung von 57 %
    • Höhenreduzierung von 47 %
    • 100 % Nennstrom
  • SMF (DO-291AB)
    • Platzeinsparung von 49 %
    • Höhenreduzierung von 46 %
    • 100 % Nennstrom
  • MicroSMP (DO-219AD)
    • Platzeinsparung von 24 %
    • Höhenreduzierung von 31 %
    • 67 % Nennstrom

SMA-Legacy-Gehäuse

Technische Zeichnung - Vishay Semiconductors eSMP®-Gehäuse-Evolution

eSMP-Gehäuse von SMA-Legacy

Merkmale

  • SlimSMA (DO-221AC)
    • Platzeinsparung von 70 %
    • Höhenreduzierung von 41 %
    • 71 % Nennstrom
  • SlimSMAW (DO-221AD)
    • Platzeinsparung von 60 %
    • Höhenreduzierung von 43 %
    • 71 % Nennstrom
  • SMF (DO-219AB)
    • 34 % an Platzeinsparung
    • 43 % an Höhenreduktion
    • 43 % Nennstrom
  • SMP (DO-220AA)
    • Platzeinsparungen von 40 %
    • Höhenreduzierung von 43 %
    • 43 % Nennstrom
  • DFN3820A
    • Platzeinsparungen von 39 %
    • Höhenreduzierung von 38 %
    • 100 % Nennstrom

SMC-Legacy-Gehäuse

Technische Zeichnung - Vishay Semiconductors eSMP®-Gehäuse-Evolution

eSMP-Gehäuse von SMC-Legacy

Merkmale

  • SMPA (DO-221BC)
    • 71 % an Platzeinsparung
    • 59 % Höhenreduzierung
    • 160 % Nennstrom
  • SlimSMA (DO-221AC)
    • 71 % an Platzeinsparung
    • 59 % Höhenreduzierung
    • 100 % Nennstrom
  • SlimSMAW (DO-221AC)
    • 71 % an Platzeinsparung
    • 59 % Höhenreduzierung
    • 100 % Nennstrom

Merkmale

  • SlimDPAK (TO-252AE)
    • 86 % an Platzeinsparung
    • 57 % an Höhenreduzierung
    • 400 % Nennstrom
  • SMPC (TO-277A)
    • 46 % an Platzeinsparung
    • 48 % an Höhenreduzierung
    • 250 % Nennstrom
  • SMPA (DO-221BC)
    • 21 % an Platzeinsparung
    • 42 % an Höhenreduzierung
    • 80 % Nennstrom

D2PAK Legacy-Gehäuse

Technische Zeichnung - Vishay Semiconductors eSMP®-Gehäuse-Evolution

eSMP-Gehäuse von D2PAK-Legacy

Merkmale

  • SMPD (TO-263AC)
    • 81 % an Platzeinsparungen
    • Höhenreduzierung von 38 %
    • 150 % Nennstrom
  • SlimDPAK (TO-252AE)
    • 36 % an Platzeinsparung
    • 29 % an Höhenreduzierung
    • 87 % Nennstrom
  • FlatPAK 5 x 6
    • 20 % an Platzeinsparung
    • 22 % an Höhenreduzierung
    • 75 % Nennstrom
  • SMPC (TO-277A)
    • 19 % an Platzeinsparung
    • 25 % an Höhenreduzierung
    • 62 % Nennstrom

Videos

Infografik

Infografik - Vishay Semiconductors eSMP®-Gehäuse-Evolution
Veröffentlichungsdatum: 2019-09-30 | Aktualisiert: 2025-12-22