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Vishay Semiconductors MXP120A MaxSiC™ 1.200-V-N-Kanal-MOSFETs

MXP120A MaxSiC™ 1.200-V-N-Kanal-MOSFETs von Vishay Semiconductors bieten 1.200 V Drain-Source-Spannung, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und 3 μs Kurzschlussfestigkeitzeit. Diese MOSFETs bieten zudem 139 W bis 227 W maximale Verlustleistung (Tc= 2,5 °C) und 29 A bis 49 A Dauersenkenstrom (Tc= 2,5 °C). Die MXP120A MaxSiC™ 1.200-V- N-Kanal-MOSFETs sind halogenfrei und in den Gehäusen TO-247 3 L oder TO-247 4 L erhältlich. Diese MOSFETs werden in Ladegeräten Hilfsmotorantrieben und DC/DC-Wandlern verwendet.

Merkmale

  • Schnelle Schaltgeschwindigkeit
  • 3 μs Kurzschlussfestigkeitszeit
  • 1.200 V Drain-Source-Spannung
  • 139 W bis 227 W maximale Verlustleistung (Tc= 2,5 °C)
  • 29 A bis 49 W Dauersenkenstrom (Tc= 2,5°C)
  • -55 °C bis 150 °C Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich
  • Blei- und halogenfrei
  • Erhältlich in einem TO-247 3 L- oder TO-247 4 L-Gehäuse
  • RoHs-konform

Applikationen

  • Ladegeräte
  • DC/DC-Wandler
  • Hilfsmotorantriebe

Videos

Pin-Diagramm

Applikations-Schaltungsdiagramm - Vishay Semiconductors MXP120A MaxSiC™ 1.200-V-N-Kanal-MOSFETs
Veröffentlichungsdatum: 2024-08-12 | Aktualisiert: 2025-08-06