Vishay / Dale UGDT Mikro-Gate-Drive-Transformatoren

Vishay/Dale UGDT Mikro-Gate-Drive-Transformatoren liefern MOSFET-/IGBT-Gate-Leistung und Timing-Signale gleichzeitig. Die Transformatoren steuern High-Side-MOSFET/IGBT in Bussen von bis zu 200 V direkt an. Die Baureihe zeichnet sich durch eine hervorragende Anstiegszeit sowie ausgezeichnete Überschwing- und Spitzenstrom-Eigenschaften aus. Die UGDT Mikro-Gate-Treiber-Transformatoren von Vishay/Dale verfügen über einen Frequenzbereich von 125 kHz bis 750 kHz.

Merkmale

  • Liefern MOSFET-/IGBT-Gate-Leistung und Timing-Signale gleichzeitig
  • Direkte Ansteuerung von High-Side-MOSFETs/IGBTs auf Bussen von bis zu 200 V
  • Hervorragende Anlaufzeit, Überschwing- und Spitzenstromeigenschaften
  • Frequenzbereich: 125 kHz bis 750 kHz
  • Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +130 °C

Technische Daten

  • Up to 1500VDC dielectric withstand voltage
  • 100mARMS winding current
  • 400mW total power dissipation
  • 125kHz to 750kHz frequency
  • 8.9mm length x 6.6mm width x 5.6mm height

Abmessungen in Zoll (mm)

Vishay / Dale UGDT Mikro-Gate-Drive-Transformatoren
Veröffentlichungsdatum: 2020-11-16 | Aktualisiert: 2024-11-15