Toshiba XCEZ-Zenerdioden für Fahrzeuge

Die Zenerdioden der Serie XCEZ von Toshiba   für Fahrzeuge zeichnen sich durch eine Verlustleistung von 150 mW und 300 mW sowie eine Spitzenimpulsleistung von 200 W aus. Die Dioden liefern eine typische Spannung von VZ, die der E24-Serie entspricht. Die XCEZ-Zenerdioden bieten eine Produktpalette von 20 Produkten mit Standard-Zener-Spannungen von 5,6 V bis 36 V. Diese Dioden nutzen ebenfalls den Zener-Prozess, um einen geringeren dynamischen Widerstand zu erzielen. Die XCEZ-Zenerdioden unterdrücken Systemstörungen, die durch solche Störungen verursacht werden, die in Stromversorgungsleitungen und Anschlüsse verschiedener Fahrzeug-Steuergeräte eindringen können. Diese Dioden  sind AEC-Q101-qualifiziert und werden in einem SOD-523-Paket (1,6 mm x 0,8 mm) geliefert. Typische Applikationen sind die Fahrzeugindustrie und der   Überspannungsschutz.

Kleines und kompatibles Allzweckpaket

Die XCEZ-Dioden verwenden das hochkompatible und kleine SOD-523-Gehäuse (1,6 mm x 0,8 mm), wodurch die Montagefläche im Vergleich zum SOD-323-Gehäuse (2,5 mm x 1,25 mm) der bestehenden XCUZ-Serie um ca. 59 % reduziert wird. Dies trägt zur Miniaturisierung von Schaltung bei.

Toshiba XCEZ-Zenerdioden für Fahrzeuge

Verpackung und interne Schaltung

Applikations-Schaltungsdiagramm - Toshiba XCEZ-Zenerdioden für Fahrzeuge

Geringer dynamischer Widerstand

Die Zenerdioden bieten eine steile Neigung in der ITLP-VTLP -Kurve am Ende der Rückspannung (VR) und erreichen einen niedrigeren dynamischen Widerstand. Dies ermöglicht eine hohe Aufnahmefähigkeit von Stoßspannung, um Schäden und Fehlfunktionen des Systems zu verhindern, und verbessert den Schutz von Bauteilen und Schaltungen.

Maßbild

Technische Zeichnung - Toshiba XCEZ-Zenerdioden für Fahrzeuge
Toshiba XCEZ-Zenerdioden für Fahrzeuge
Toshiba XCEZ-Zenerdioden für Fahrzeuge

Überspannungsschutz für lange Pulsdauern

Die XCEZ-Zenerdioden erreichen eine hohe maximal zulässige Zener-Stoßleistung von 6 W bei einer Impulsbreite von 10 ms. Diese Dioden ermöglichen den Schutz von Halbleiterbauelementen vor Bedingungen mit langen Pulsbreiten im Millisekundenbereich, wie z. B. hohen Schaltstromstößen und Überspannungen nahe der Gleichspannung.

Toshiba XCEZ-Zenerdioden für Fahrzeuge

Merkmale

  • Geringer dynamischer Widerstand
  • Überspannungsschutz für lange Impulsdauern im Millisekundenbereich
  • Verlustleistung
    • 150 mW (20mm × 20mm, Padabmessungen von 16 mm2)
    • 300 mW (25,4 mm × 25,4 mm × 1,6 mm, Cu-Pad: 645 mm2)
  • 200 W Spitzenimpulsleistung (gemäß IEC61000-4-5 (tp = 8/20 µs))
  • Die typische Spannung von VZ entspricht der E24 Baureihe
  • AEC-Q101-qualifiziert
  • Kompaktes Gehäuse
  • -55 °C bis 150 °C Lagertemperaturbereich

Applikationen

  • Automobil-Applikationen
  • Überspannungsschutz
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Teilnummer Zz - Zener-Impedanz Ir - Sperrstrom Zener-Strom Vz - Zener-Spannung Teststrom
XCEZ10V,L3XHF 30 Ohms 0.1 uA 5 mA 10 V 5 mA
XCEZ11V,L3XHF 30 Ohms 11 V 5 mA
XCEZ15V,L3XHF 30 Ohms 0.1 uA 5 mA 15 V 5 mA
XCEZ18V,L3XHF 45 Ohms 18 V 5 mA
XCEZ20V,L3XHF 70 Ohms 0.1 uA 5 mA 20 V 5 mA
XCEZ22V,L3XHF 70 Ohms 0.1 uA 5 mA 22 V 5 mA
XCEZ24V,L3XHF 70 Ohms 24 V 5 mA
XCEZ27V,L3XHF 70 Ohms 27 V 2 mA
XCEZ30V,L3XHF 100 Ohms 0.1 uA 2 A 30 V 2 A
XCEZ36V,L3XHF 100 Ohms 0.1 uA 2 mA 36 V 2 mA
Veröffentlichungsdatum: 2025-08-21 | Aktualisiert: 2025-10-09