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Toshiba TKx n-Kanal-Silizium-MOSFETs

Die TKx n-Kanal-Silizium-MOSFETs von Toshiba sind in U-MOSX-H- und DTMOSVI-Ausführungen erhältlich und bieten außergewöhnliche Leistungsmerkmale. Diese MOSFETs haben schnelle Sperrverzögerungszeiten, die den Wirkungsgrad in Hochgeschwindigkeits-Schaltapplikationen verbessern, indem sie die Verzögerung zwischen dem Aus- und dem Einschaltzustand reduzieren. Der niedrige Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS(on)] trägt zu minimalen Leistungsverlusten und einem verbesserten Wärmemanagement bei und macht diese MOSFETs ideal für Applikationen, die eine hohe Strombelastbarkeit mit niedriger Energiedissipation erfordern.

Merkmale

  • U-MOSX-H- und DTMOSVI-Ausführungen
  • Schnelle Sperrverzögerungszeiten
    • 40 ns bis 52 ns typischer Bereich für U-MOSX-H
    • 135 ns typisch für DTMOSVI
  • Niedrige Drain-Source-Einschaltwiderstände
    • 4,1 mΩ bis 8 mΩ typischer Bereich für U-MOSX-H
    • 0,052 Ω typisch für DTMOSVI
  • Bereiche des Erweiterungsmodus
    • 3,1 V bis 4,5 V (VDS= 10 V, ID= 1,1 mA bis 2,2 mA) für U-MOSX-H
    • 3,5 V bis 4,5 V (VDS= 10 V, ID= 1,69 mA) für DTMOSVI
  • Schnellschalteigenschaften mit niedriger Kapazität (DTMOSVI)
  • Typischer Sperrverzögerungsladungsbereich (U-MOSX-H): 32 nC bis 55 nC
  • Gate-Ladungsbereich (U-MOSX-H): 17 nC bis 26 nC (typisch)
  • 10 µA maximaler Ableitstrom (U-MOSX-H)

Applikationen

  • Schaltspannungsregler
  • DC/DC-Wandler mit hohem Wirkungsgrad (U-MOSX-H)
  • Motortreiber (U-MOSX-H)
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Teilnummer Datenblatt Verpackung/Gehäuse Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Qg - Gate-Ladung Pd - Verlustleistung Anstiegszeit Abfallzeit
TK095U65Z5,RQ TK095U65Z5,RQ Datenblatt TOLL-9 650 V 29 A 95 mOhms 30 V 50 nC 230 W 17 ns 4 ns
TK115U65Z5,RQ TK115U65Z5,RQ Datenblatt TOLL-9 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 42 nC 190 W 14 ns 3.7 ns
TK155U60Z1,RQ TK155U60Z1,RQ Datenblatt TOLL-9 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 24 nC 130 W 15 ns 5 ns
TK080U60Z1,RQ TK080U60Z1,RQ Datenblatt TOLL-9 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 43 nC 211 W 20 ns 4 ns
TK099U60Z1,RQ TK099U60Z1,RQ Datenblatt TOLL-9 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 36 nC 176 W 18 ns 4.6 ns
TK125U60Z1,RQ TK125U60Z1,RQ Datenblatt TOLL-9 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 28 nC 150 W 16 ns 5 ns
TK063N60Z1,S1F TK063N60Z1,S1F Datenblatt TO-247-3 600 V 37 A 63 mOhms 30 V 56 nC 242 W 50 ns 5 ns
TK068N65Z5,S1F TK068N65Z5,S1F Datenblatt TO-247-3 650 V 37 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 68 nC 270 W 51 ns 3.5 ns
TK4R9E15Q5,S1X TK4R9E15Q5,S1X Datenblatt TO-220-3 150 V 120 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 96 nC 300 W 87 ns 77 ns
TK5R0A15Q5,S4X TK5R0A15Q5,S4X Datenblatt TO-220SIS-3 150 V 76 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 96 nC 53 W 62 ns 57 ns
Veröffentlichungsdatum: 2024-09-10 | Aktualisiert: 2025-08-02