Toshiba GT20N135SRA Silizium-n-Kanal-IGBT
Der Toshiba GT20N135SRA Silizium-n-Kanal-IGBT ist ein IGBT der 6.5-Generation und besteht aus einer monolithischen Freilauf diode (FWD), die in einen IGBT-Chip integriert ist. Dieser IGBT verfügt über eine niedrige Sättigungsspannung von 1,60 V und wird bei einer hohen Sperrschichttemperatur von max. 175 °C und einer Hochgeschwindigkeits-Schaltung von 0,25 µs betrieben. Der GT20N135SRA Silizium-n-Kanal-IGBT eignet sich hervorragend für Spannungsresonanz-Wechselrichterschaltungen, weiche Schaltungen und Induktionskochfelder und Haushaltsgeräte-Applikationen.
Merkmale
- 6.5-Generation
- Erweiterungsmodus
- Freilaufdiode (FWD), die monolithisch in einen IGBT-Chip integriert ist
Technische Daten
- Hochgeschwindigkeits-Schaltung:
- IGBT tf = 0,25 µs (typisch)
- Geringe Sättigungsspannung:
- VCE(sat) = 1,60 V (typisch)
- IC = 20 A
- TA = 25 °C
- Hohe Sperrschichttemperatur:
- Tj = 175 °C (max.)
Applikationen
- Spannungsresonanz-Wechselrichterschaltung
- Sanftes Schalten
- Induktionskochfelder und Haushaltsgeräte
Gehäuseabmessungen
Veröffentlichungsdatum: 2020-03-01
| Aktualisiert: 2024-11-08