Texas Instruments UCC23313 Isolierte Gate-Treiber
Texas Instruments UCC23313 Isolierte Gate-Treiber sind für IGBTs, MOSFETs und SiC-MOSFETs mit einem Spitzen-Qellenstrom von 4,5 A und einem Spitzen-Senkenstrom von 5,3 A sowie einer Basisisolationsrate von 3,75 kVrms ausgelegt. Der UCC23313 verfügt über einen hohen Versorgungsspannungsbereich von 33 V und ermöglicht den Einsatz von bipolaren Versorgungen für eine wirksame Ansteuerung von IGBTs und SiC-Leistungs-FETs. Der UCC23313 kann sowohl Low-Side- als auch High-Side-Leistungs-FETs ansteuern.Der UCC23313 bietet wichtige Funktionen und Eigenschaften, die gegenüber standardmäßigen Gate-Treibern auf Optokopplerbasis erhebliche Leistungs- und Zuverlässigkeitsverbesserungen bringen, während die Pin-zu-Pin-Kompatibilität sowohl im Schaltplan- als auch im Layout-Design erhalten bleibt. Zu den Leistungshighlights gehören unter anderem eine hohe Gleichtakt-Transientenimmunität (CMTI), eine geringe Laufzeitverzögerung und eine kleine Pulsbreitenverzerrung. Diese strenge Prozesskontrolle führt zu einem geringen Teil-zu-Teil-Versatz. Die Eingangsstufe ist eine emulierte Diode (Ediode), die im Vergleich zu herkömmlichen LEDs eine langfristige Zuverlässigkeit und verbesserte Alterungseigenschaften bietet.
Die UCC23313 isolierten Gate-Treiber eignen sich hervorragend für den Einsatz in allen Arten von Motorantrieben, Solarwechselrichtern, Industrie-Stromversorgungen und Haushaltsgeräten. Die höhere Betriebstemperatur von -40 °C bis +150 °C eröffnet Möglichkeiten für Applikationen, die bisher von herkömmlichen Optokopplern nicht unterstützt werden konnten.
Merkmale
- Einkanal-Gate-Treiber mit optokompatiblem Eingang von 3,75 kVRMS
- Pin-zu-Pin-Drop-In-Upgrade für optoisolierte Gate-Treiber
- Spitzenstrom von 4,5 A (Quelle) und 5,3 A (Senke)
- Ausgangsspannung zur Treiberversorgung: 14 V bis 33 V
- Rail-to-Rail-Ausgang
- Laufzeitverzögerung: 105 ns (max.)
- Part-to-Part-Verzögerungsanpassung: 25 ns (max.)
- Pulsbreitenverzerrung: 35 ns (max.)
- Gleichtakt-Störfestigkeit (CMTI): 150 kV/µs (mind.)
- Lebensdauer der Isolationsbarriere: > 50 Jahre
- Umpolungs-Spannungsfestigkeit auf Eingangsstufe: 13 V
- Gestrecktes SO-6-Gehäuse mit einer Kriech- und Luftstrecke von > 8,5 mm
- Sperrschicht-Betriebstemperatur (TJ): -40 °C bis +150 °C
- Sicherheitsbezogene Zertifizierungen (geplant):
- 6.000 VPK Basisisolierung gemäß DIN V VDE V0884-11: 2017-01
- 3,75 kVRMS Isolierung für eine Minute gemäß UL 1577
- CQC-Zertifizierung gemäß GB4943.1-2011
Applikationen
- Industrie-Motorsteuerantriebe
- Industrie-Stromversorgungen, USV
- Solarwechselrichter
- Induktionserhitzer
Datasheet
Funktionales Blockdiagramm
