Texas Instruments UCC21759-Q1 Isolierter Einkanal-Gate-Treiber
Der Texas Instruments UCC21759-Q1 Einkanal-Gate-Treiber ist ein galvanisch getrennter Einkanal-Gate-Treiber, der für SiC-MOSFETs und IGBTs mit einer Betriebsspannung von bis zu 990 VDC ausgelegt ist. Das Bauteil verfügt über erweiterte Schutzfunktionen, eine erstklassige dynamische Leistungsfähigkeit und Robustheit. Der UCC21759-Q1 verfügt über einen Quellen- und Senkenstrom von bis zu ±10 A. Die Eingangsseite ist von der Ausgangsseite mit der kapazitiven SiO2-Isolationstechnologie isoliert und unterstützt eine Betriebsspannung von bis zu 700 VRMS mit einer Laufzeit der Isolationsbatterie von mehr als 40 Jahren, eine Stoßstrombeständigkeit von 6 kVPK und bietet außerdem einen geringen Teil-zu-Teil-Versatz und eine Gleichtakt-Rauschimmunität (CMTI) von > 150 V/ns.
Der UCC21759-Q1 von Texas Instruments enthält die neuesten Schutzfunktionen, wie z. B. eine schnelle Kurzschluss-Erkennung, eine Fehlermeldung und eine aktive Miller-Klemme. Darüber hinaus enthält das Bauteil eine eingangs- und ausgangsseitige UVLO, die für SiC- und IGBT-Leistungstransistoren optimiert ist. Der isolierte Analog-zu-PWM-Sensor ermöglicht eine einfachere Temperatur- oder Spannungserkennung, wodurch die Vielseitigkeit des Treibers weiter erhöht und Aufwand, Größe und Kosten für das Systemdesign vereinfacht werden.
Merkmale
- Isolierter Einkanal-Gate-Treiber von 3 kVRMS
- AEC-Q100-qualifiziert für Fahrzeuganwendungen
- Steuert SiC-MOSFETs und IGBTs von bis zu 990 Vpk an
- Maximale Ausgangsantriebsspannung (VDD-VEE): 33 V
- Hoher Spitzenantriebsstrom und hohe CMTI
- Antriebsstärke von ±10 A und Split-Ausgang
- Mindestens 150 V/ns CMTI
- Schneller DESAT-Schutz mit Anschwingzeit von 200 ns
- Interne aktive Miller-Klemme von 4 A
- Sanftes Ausschalten unter Fehlerbedingungen von 400 mA
- Isolierter Analogsensor mit PWM-Ausgang für
- Temperaturmessung mit NTC-, PTC- oder thermischer Diode
- Hochspannungs-DC-Link oder Phasenspannung
- Alarm-FLT an Überstrom und Reset von RST/EN
- Schnelle Aktivierungs-/Deaktivierungs-Reaktion auf RST/EN
- Unterdrückt Rauschtransienten von < 40 ns und Impulse auf den Eingangspins
- 12 V VDD UVLO mit Power-Good auf RDY
- Ein-/Ausgänge mit Überspannungs-/Unterspannungs-Störfestigkeit bis 5 V
- 130 ns (max.) Laufzeitverzögerung und 30 ns (max.) Impuls-/Teileversatz
- SOIC-16-DW-Gehäuse mit Kriechstrecke und Luftstrecke von > 8 mm
- Sperrschicht-Betriebstemperatur: -40 °C bis +150 °C
- Sicherheitsbezogene Zertifizierungen (geplant)
- 6.000 VPK Basisisolierung gemäß DIN V VDE V0884-11: 2017-01
- Isolierung von 3 kVRMS für 1 Minute gemäß UL 1577
Applikationen
- Traktionswechselrichter für EVs
- On-Board-Ladegerät und -Ladestapel
- DC/DC-Wandler für HEV/EVs
Funktionales Blockdiagramm
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Veröffentlichungsdatum: 2021-01-20
| Aktualisiert: 2022-03-11