Texas Instruments UCC21750/UCC21750-Q1 Einkanal-Gate-Treiber
Der Texas Instruments UCC21750/UCC21750-Q1 Einkanal-Gate-Treiber ist ein galvanisch getrennter Gate-Treiber, der für SiC-MOSFETs und IGBTs mit einer Betriebsspannung von bis zu 2.121 V DC mit erweiterten Schutzfunktionen ausgelegt ist. Er bietet eine erstklassige dynamische Leistung und Robustheit. Der UCC21750/UCC21750-Q1 verfügt über einen Quellen- und Senken-Spitzenstrom von bis zu ±10 A. Die Eingangsseite ist von der Ausgangsseite mit der SiO2 kapazitiven Isolationstechnologie isoliert und unterstützt eine Betriebsspannung von bis zu 1,5 kVRMS und eine Stoßstromfestigkeit von 12,8 kVP K. Er wird mit einer Lebensdauer der Isolationsbarriere von mehr als 40 Jahren geliefert und bietet einen geringen Teil-zu-Teil-Versatz und eine Gleichtakt-Rauschimmunität (CMTI) von > 150 V/ns.
Der UCC21750/UCC21750-Q1 verfügt über die neuesten Schutzfunktionen, wie z. B. schnelle Überstrom- und Kurzschlusserkennung, Unterstützung für die Erfassung des Nebenschlussstroms und Fehlermeldung. Das Bauteil bietet auch ein eingangsseitiges und ausgangsseitiges UVLO-Netzteil zur Optimierung des SiC- und IGBT-Schaltverhaltens und der Robustheit. Der isolierte Analog-zu-PWM-Sensor ermöglicht eine einfachere Temperatur- oder Spannungserfassung, wodurch die Vielseitigkeit der Treiber weiter erhöht und Aufwand, Größe und Kosten für das Systemdesign vereinfacht werden. Die UCC21750-Q1 Bauteile von Texas Instruments sind AEC-Q100-qualifiziert für Fahrzeuganwendungen.
Merkmale
- 5,7 kVRMS einkanaliger isolierter Gate-Treiber
- SiC MOSFETs und IGBTs bis zu 2.121 Vpk
- 33 V maximale Ausgangsspannung (VDD-VEE)
- Antriebsstärke von ±10 A und Split-Ausgang
- Mindestens 150 V/ns CMTI
- Schneller DESAT-Schutz mit Anschwingzeit von 200 ns
- Interne aktive Miller-Klemme von 4 A
- Sanftes Ausschalten von 400 mA, wenn ein Fehler vorliegt
- Isolierter analoger Sensor mit PWM-Ausgang für
- Temperaturmessung mit NTC-, PTC- oder thermischer Diode
- Hochspannungs-DC-Link oder Phasenspannung
- Alarm-FLT an Überstrom und Reset von RST/EN
- Schnelles Aktivierungs-/Deaktivierungsverhalten auf RST/EN
- Unterdrückung von Rauschtransienten von < 40 ns und Impulsen an den Eingangspins
- 12 V VDD UVLO mit Power-Good auf RDY
- Eingänge/Ausgänge mit Über-/Unterschreitung der Transienten-Spannungsimmunität bis zu 5 V
- 130 ns (maximale) Ausbreitungsverzögerung und 30 ns (maximaler) Impuls/Teilversatz
- SOIC-16SOIC-16-DW-Gehäuse mit Kriechstrecke und Luftstrecke von > 8 mm
- Sperrschicht-Betriebstemperatur: -40 °C bis +150 °C
Applikationen
- Industrielle Motorantriebe
- Server-, Telekommunikations- und Industrie-Netzteile
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
- Solarwechselrichter
Datenblätter
Funktionales Blockdiagramm
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