Texas Instruments TMCS1133/TMCS1133-Q1 Hall-Effekt-Stromsensoren

Texas Instruments TMCS1133/TMCS1133-Q1 Hall-Effekt-Stromsensoren sind galvanisch isolierte Sensoren mit mehreren Empfindlichkeitsoptionen von 25 mV/A bis 150 mV/A. Die Ausgangsspannung, die bei diesen Sensoren proportional zum Eingangsstrom ist, weist bei allen Empfindlichkeitsoptionen eine überragend geringe Drift und Linearität auf. Diese Sensoren werden von einer einzelnen 3 V bis 5,5 V Stromversorgung betrieben und verhindern Ratiometriefehler. Die TMCS1133/TMCS1133-Q1 Sensoren bieten eine hohe Dauerstrombelastbarkeit von 80 ARMS, eine robuste verstärkte Isolierung, eine Signalbandbreite von 1 MHz und eine Ausbreitungsverzögerung von 50 ns. Die TMCS1133/TMCS1133-Q1 Sensoren bieten eine hohe Immunität gegenüber externen Magnetfeldern und können bidirektionale und unidirektionale Stromstärken messen. Diese Sensoren werden beim Laden von Fahrzeugen, bei Netzteilen, AC/DC- und Solarenergie-Industrieapplikationen eingesetzt. Die TMCS1133 Sensoren sind in einem DVG(SOIC 10)-Gehäuse von 10,3 mm x 10,3 mm erhältlich. Die TMCS1133-Q1 Bauteile sind gemäß AEC-Q100 für Fahrzeuganwendungen zugelassen.

Die TMCS1133/TMCS1133-Q1 Sensoren bieten eine hohe Immunität gegenüber externen Magnetfeldern und können bidirektionale und unidirektionale Stromstärken messen. Diese Sensoren werden beim Laden von Fahrzeugen, bei Netzteilen, AC/DC- und Solarenergie-Industrieapplikationen eingesetzt. Die TMCS1133 Sensoren sind in einem DVG(SOIC 10)-Gehäuse von 10,3 mm x 10,3 mm erhältlich. Die TMCS1133-Q1 Bauteile sind gemäß AEC-Q100 für Fahrzeuganwendungen zugelassen.

Merkmale

  • Hohe Genauigkeit
    • Empfindlichkeitsfehler: ±0,1 %
    • Empfindlichkeit thermischer Drift: ±20 ppm/°C
    • Empfindlichkeit Lebensdauerdrift: ±0,2 %
    • Offset-Fehler: ±0,2 mV
    • Offset-Thermischer Drift: ±10 µV/°C
    • Offset-Lebensdauer-Drift: ±0,2 mV
    • Nichtlinearität: ±0,1 %
  • Hohe Immunität gegenüber externen Magnetfeldern
  • Schnelle Reaktion
    • 1 MHz Signalbandbreite
    • Anschwingzeit: 120 ns
    • Laufzeitverzögerung: 50 ns
    • Ansprechzeit bei Überstromerkennung: 100 ns
  • Bi-direktionale und uni-direktionale Stromerfassung
  • Mehrere Empfindlichkeitsoptionen von 25 mV/A bis 150 mV/A
  • Betriebsspannungsbereich: 3 V bis 5,5 V

Applikationen

  • EV-Ladung
  • Stromversorgung
  • Industrie-AC/DC
  • Solarenergie

Typisches Applikationsdiagramm

Applikations-Schaltungsdiagramm - Texas Instruments TMCS1133/TMCS1133-Q1 Hall-Effekt-Stromsensoren

Blockdiagramm

Blockdiagramm - Texas Instruments TMCS1133/TMCS1133-Q1 Hall-Effekt-Stromsensoren
Veröffentlichungsdatum: 2024-06-19 | Aktualisiert: 2025-05-15