Texas Instruments LMG3626 700 V 220 mΩ GaN-FET

LMG3626 700 V 220 mΩ GaN FET Applikationen Texas Instruments ist für den Einsatz in Schaltnetzteilen (SMPS) konzipiert. Dieser IC  unterstützt Wechselrichter Leichtlast- Wirkungsgrad Anforderungen und Burst-Modus-Betrieb mit niedrigen Ruheströmen und schnellen Startzeiten. Die Funktionen des LMG3626 beinhalten einen Gate-Treiber, Schutzfunktionen und Strommessung. Zu den Schutzfunktionen dieses GaN-FET gehören Unterspannungssperre (UVLO), zyklusweise Strombegrenzung und Übertemperaturschutz. Der GaN-FET der Baureihe LMG3626 unterstützt die hohen Spannungen, die bei Offline-Leistungsschaltapplikationen auftreten. Der GaN-FET wird in einem 8 mm x 5,3 mm großen QFN-Gehäuse mit Wärme-Pad angeboten. Der LMG3626 ist ideal für AC/DC -Adapter und Ladegeräte, mobile Wand-Ladegeräte, USB- Wandsteckdosen, Zusatzstromversorgungen, SMPS -Stromversorgungen für TVS und LED-Netzteile.

Merkmale

  • 700 V, 220 mΩ GaN-Leistung FET
  • Integrierter GATE-Treiber mit geringer Ausbreitungsverzögerung und einstellbarer Einschalt-Anstiegsgeschwindigkeitssteuerung
  • Stromsensoremulation mit hoher Bandbreite und hoher Genauigkeit
  • Zyklusweiser Überstromschutz
  • Übertemperaturschutz mit FLT-Pin-Meldung
  • 240 μA AUX-Ruhestrom
  • 50 μA AUX-Standby-Ruhestrom
  • 26 V maximale Spannung für die Versorgung und den Eingangslogik-Pin
  • -40 °C bis 125 °C Betriebstemperaturbereich
  • QFN-Gehäuse mit Wärme-Pad, 8 mm x 5,3 mm

Applikationen

  • AC/DC-Adapter und -Ladegeräte
  • Design von mobilen Wandladegeräten
  • USB-Steckdose
  • Auxiliary-power netzteile
  • SMPS-Stromversorgung für Fernsehgeräte
  • LED-Netzteile

Blockdiagramm

Blockdiagramm - Texas Instruments LMG3626 700 V 220 mΩ GaN-FET
Veröffentlichungsdatum: 2025-09-19 | Aktualisiert: 2025-09-30