Texas Instruments ISOTMP35/ISOTMP35-Q1 Isolierter Temperatursensor

Der ISOTMP35/ISOTMP35-Q1 isolierte Temperatursensor von Texas Instruments verfügt über einen Analogausgang und eine schnelle thermische Anschwingzeit von <2 Sekunden. Dieser Sensor kombiniert eine robuste integrierte Isolationsbarriere, die einen Isolationsspannungsschutz von 3.000 VRMS und eine Isolationsbetriebsspannung von 500 VRMS bietet. Dank dieser Integration kann der Sensor zusammen mit Hochspannungs-Wärmequellen platziert werden, ohne dass eine teure Isolationsschaltung erforderlich ist, was eine höhere Genauigkeit und eine schnellere thermische Anschwingzeit ermöglicht. Der ISOTMP35/ISOTMP35-Q1 Sensor arbeitet mit einer nicht isolierten Versorgungsspannung von 2,3 V bis 5,5 V und lässt sich leicht in Applikationen integrieren, bei denen eine subregulierte Stromversorgung auf der Hochspannungsebene nicht verfügbar ist. Der ISOTMP35-Q1 Temperatursensor ist für Fahrzeuganwendungen AEC-Q100-qualifiziert. Zu den typischen Applikationen zählen SiC/IGBT PowerFET-Temperaturüberwachung, HEV-/EV-Batteriemanagementsystem (BMS), HEV-/EV-On-Board-Ladegerät (OBC) und drahtloses Ladegerät, HEV-/EV-DC/DC-Wandler und Temperatursensor für den Antriebsstrang.

Die integrierte Isolationsbarriere des ISOTMP35/ISOTMP35-Q1 Temperatursensors erfüllt die Anforderungen von UL 1577. Dieser Sensor ist in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse (7-Pin-SOIC) untergebracht und bietet einen hervorragenden Wärmefluss von der Wärmequelle zum eingebetteten Wärmesensor. Dies minimiert die thermische Masse, ermöglicht eine genauere Messung der Wärmequelle und verbessert den Spielraum bei der Systemauslegung, indem es mechanische Abweichungen aufgrund von Fertigung und Montage reduziert.

Merkmale

  • Robuste integrierte Isolationsbarriere:
    • 3.000 V (RMS) Isolationsspannungsschutz
    • 500 VRMS Isolations-Betriebsspannung
  • AEC-Q100-qualifiziert mit:
    • Temperaturklasse 0: -40 °C bis 150 °C Betriebstemperaturbereich
    • HBM-ESD-Bauteilklassifikation Stufe 2
    • HBM-ESD-Bauteilklassifikation Stufe C5
  • Dokumentation zur Unterstützung des Designs von funktionalen Sicherheitssystemen ist verfügbar
  • >50 Jahre Lebensdauer der Isolationsbarriere
  • Temperatursensorgenauigkeit:
    • Typ. ±0,5 °C bei 25 °C
    • ±1,5 °C (Max.) von 0 °C bis 70 °C
    • ±2,0 °C maximal von -40°C bis 150 °C
  • 2,3 V bis 5,5 V Betriebsspannungsbereich
  • Sensors, Offset (typisch): 10 mV/°C, 500 mV bei 0 °C
  • <2 Sekunden schnelle thermische Reaktion
  • Gegen Kurzschlussschutz geschützter Ausgang
  • Geringer Stromverbrauch: 9 µA (typisch)
  • DFQ-(SOIC-7)-Gehäuse
  • Sicherheitsbezogene Zertifizierungen (geplant):
    • 3 kVRMS Isolierung für 1 Minute gemäß UL 1577

Applikationen

  • Siliziumkarbid (SiC) PowerFET Temperaturüberwachung
  • PowerFET-Temperaturüberwachung mit isoliertem Gate-Bipolartransistor (IGBT)
  • HEV/EV-BMS
  • HEV/EV-OBC und drahtloses Ladegerät
  • HEV/EV-DC/DC-Wandler
  • HEV/EV-Wechselrichter und Motorsteuerung
  • Antriebsstrang-Temperatursensor

Funktionales Blockdiagramm

Blockdiagramm - Texas Instruments ISOTMP35/ISOTMP35-Q1 Isolierter Temperatursensor

Typisches Applikationsdiagramm

Applikations-Schaltungsdiagramm - Texas Instruments ISOTMP35/ISOTMP35-Q1 Isolierter Temperatursensor
Veröffentlichungsdatum: 2024-07-22 | Aktualisiert: 2025-05-15