Texas Instruments ISO5452 IGBT-Gatetreiber sind bei Mouser erhältlich und sind verstärkt isolierte 5,7kVRMS-Gate-Treiber für IGBTs und MOSFETs mit 2,5A Quellstrom und 5A Senkstrom. Die Eingangsseite wird von einer einzelnen 2,25V- bis 5,5V-Stromversorgung betrieben. Auf der Ausgangsseite ist ein Stromversorgungsbereich von mindestens 15V bis maximal 30V möglich. Zwei zusätzliche CMOS-Eingänge steuern den Ausgangsstatus des Gate-Treibers. Die kurze Verzögerungszeit von 76ns gewährleistet eine genaue Steuerung des Ausgangsstatus. Zu den typischen Anwendungen gehören isolierte IGBT- und MOSFET-Antriebe in industriellen Motorsteuerungsantrieben und Energieversorgungen, Solar-Wechselrichter, HEV- und EV-Leistungsmodule und Induktionserwärmung.
Merkmale
Mindestens 50kV/μs und 100kV/µs typ. flüchtige Gleichtaktsicherheit (CMTI) bei VCM = 1500V
Split-Ausgänge zur Bereitstellung von 2,5A Spitzenquellstrom und 5A Spitzensenkstrom
Kurze Verzögerungszeit: 76ns (typ.), 110ns (max.)
2A aktive Miller-Klemme
Ausgangs-Kurzschlussklemme
Sanftabschaltung (STO) während Kurzschluss
Fehleralarm nach Entsättigungserkennung wird an FLT gemeldet und über RST zurückgesetzt
Eingangs- und Ausgangsunterspannungssperre (UVLO) mit Ready-(RDY)-Pinanzeige
Aktiver Pull-Down-Ausgang und standardmäßige niedrige Ausgänge mit niedriger Versorgung oder potenzialfreien Eingängen
2,25V bis 5,5V Eingangs-Versorgungsspannung
15V bis 30V Ausgangstreiber-Versorgungsspannung
CMOS-kompatible Eingänge
Unterdrückt Eingangsimpulse und Rauschtransienten, die kürzer als 20ns sind
Betriebsumgebungstemperatur: -40°C bis 125°C
Unempfindlichkeit gegen Stoßströme 10000-VPK (gemäß IEC 61000-4-5)
Sicherheitszertifizierungen und behördliche Genehmigungen
8000VPK VIOTM und 1420VPK VIORM verstärkte Isolierung gemäß DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12
ISO5852SEVM IGBT Gatetreiber-EVM mit verstärkter Isolation
Das Texas Instruments ISO5852SEVM IGBT-Gatetreiber-Entwicklungsmodul (EVM) mit verstärkter Isolation ist zur Unterstützung der Evaluierung des ISO5852S ausgelegt. Das Entwicklungsmodul ermöglicht Entwicklern die Auswertung der AC- und DC-Leistung des Geräts mit einer bereits festgelegten 1nF Last oder mit einem vom Benutzer installierten IGBT. Diese IGBTs verfügen über ein standardmäßiges TO-247 oder TO-220 Gehäuse.
Merkmale
Verstärkt isolierter IGBT-Gate-Treiber mit 2,5A Quellstrom und 5A Senkstrom.
Die kurze Verzögerungszeit gewährleistet eine genaue Steuerung des Ausgangsstatus
Die Eingangsseite wird von einer einzelnen 2,25V- bis 5,5V-Stromversorgung betrieben.
Auf der Ausgangsseite ist ein Stromversorgungsbereich von mindestens 15V bis maximal 30V möglich.
2A Miller-Klemme, Ausgangs-Kurzschlussklemme, Fehleralarm nach Entsättigung, Eingangs- und Ausgangs-Unterspannungssperre mit Ready-Pin-Anzeige.
Split-Ausgänge, Aktiver Pull-Down-Ausgang und niedrige Standard-Ausgangsbedingung
Nach einer Entsättigung wird der Gate-Treiber mit niedriger Versorgung oder potenzialfreiem Eingang erkannt
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Isolierte IGBT Gatetreiber-Evaluierungsplattform für Dreiphasen-Umrichtersysteme
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