Texas Instruments DRV8106S-Q1EVM Gate-Treiber-Evaluierungsmodul

Das Texas Instruments DRV8106S-Q1EVM Gate-Treiber-Evaluierungsmodul (EVM) ist zur Evaluierung des DRV8106S-Q1 integrierten, Automotive-qualifizierten gebürsteten DC-Motortreibers ausgelegt. Der DRV8106S-Q1 ist ein hochintegrierter Halbbrücken-Gate-Treiber, der High-Side- und Low-Side-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs ansteuern kann. Das Bauteil erzeugt ordnungsgemäße Gate-Drive-Spannungen über eine integrierte Verdopplungs-Ladungspumpe für die High-Side-MOSFETs und einen Linearregler für die Low-Side-MOSFETs. Das DRV8106S-Q1EVM von Texas Instruments verfügt über eine Halbbrücke, die aus zwei n-Kanal-MOSFETs besteht, die Motoren bidirektional bis zu 15 A RMS, 20 A Spitzenstrom ansteuern. Das Evaluierungsmodul wird von einer einzelnen Stromversorgung für die analoge Leistung und von der USB-Leitung für die digitale Leistung betrieben, die für eine externe Versorgung angepasst werden kann. Eine negative Batterie-Verpolschutzschaltung von 18 V mit einem PI-Filter der mit 20 A RMS eingestuft ist, wird zur Reinigung des Stromversorgungseingang und zum Schutz gegen falsche Batterieverbindungen bereitgestellt.

Merkmale

  • Evaluierungsmodul für das Smart-Gate-Treiber-Evaluierungsmodul für Fahrzeuganwendungen
    • -40 °C bis +125 °C, Temperaturklasse TA Klasse 1
    • 4,9 V bis 37 V Betriebsbereich
    • Verdoppler-Ladungspumpe für 100 % PWM
    • Halbbrücken-Betriebsart
    • SPI-Schnittstelle für detaillierte Konfigurations- und Diagnosefunktionen
  • Smart-Gate-Drive-Architektur
    • Einstellbare Anstiegsratensteuerung
    • Spitzenquellstromausgang: 0,5 mA bis 62 mA
    • Spitzensenkenstromausgang: 0,5 mA bis 62 mA
    • Integriertes Totzeit-Handshaking
    • MOSFET-Drain-zu-Quellen- und Gate-Wächter
  • Großer Gleichtakt-Strom-Shunt-Verstärker
    • Inline-Erkennung
    • Anpassbare Gain-Einstellungen (10 V/V, 20 V/V, 40 V/V, 80 V/V)
    • Integrierte Rückkopplungswiderstände
    • Anpassbares PWM-Austastungsschema
  • Integrierte Schutzfunktionen
    • Dedizierter Treiberdeaktivierungs-Pin (DRVOFF)
    • Versorgungs- und Regler-Spannungswächter
    • MOSFET-VDS-Überstromwächter
    • MOSFET-VGS-Gate-Fehlerüberwachungen
    • Ladungspumpe für MOSFET mit umgekehrter Polarität
    • Offline-Diagnose von offener Last und Kurzschluss
    • Thermische Warnung und Abschaltung des Bauteils
    • Fehlerbedingungs-Interrupt-Pin (nFAULT)
Veröffentlichungsdatum: 2021-02-15 | Aktualisiert: 2024-10-29