Texas Instruments CSD96497Q5MC NexFET™-Smart-Leistungsstufen
Texas Instruments CSD96497Q5MC NexFET™-Smart-Leistungsstufen bieten ein hochgradig optimiertes Design für den Einsatz in einem synchronen Hochleistungs-Abwärtswandler mit hoher Dichte. Die Leistungsstufenschaltfunktion wird über die integrierten Treiber-ICs und Leistungs-MOSFETs vervollständigt. Diese Kombination erzeugt einen hohen Strom, eine hohe Leistungsfähigkeit und eine Hochgeschwindigkeits-Schaltfähigkeit in einem kleinen kompakten Gehäuse von 5 mm × 6 mm. Die CSD96497Q5MC Leistungsstufen integrieren einen genauen Strom- und Temperaturmessungs-Funktionsumfang zur Vereinfachung des Systemdesigns und zur Verbesserung der Genauigkeit. Der PCB-Footprint der Leistungsstufen wurde optimiert, um die Designzeit zu verringern und die Fertigstellung des Gesamtsystemdesigns zu vereinfachen.
Merkmale
- Ununterbrochene Betriebsstromleistung von 65 A
- Mehr als 93,5 % Systemwirkungsgrad bei 30 A
- Hochfrequenzbetrieb (bis zu 1,25 MHz)
- Dioden-Emulationsmodus mit FCCM
- Temperaturkompensierte bidirektionale Strommessung
- Analoger Temperaturausgang
- Fehlerüberwachung - OTP, HS-OCP und Kurzschluss-Sicherung
- 3,3 V und 5 V PWM-Signal-kompatibel
- Integrierter Bootstrap-Schalter
- Tri-State-PWM-Eingang
- Optimierte Totzeit für Durchzündungsschutz
- Hochdichter QFN-Footprint von 5 mm × 6 mm
- Gehäuse mit sehr niedriger Induktivität
- System-optimierter PCB-Footprint
- Dual Cool™-Verpackung
- RoHS-konforme, bleifreie Anschlussbeschichtung
- Halogenfrei
Applikationen
- Synchrone Mehrphasen-Abwärtswandler
- Hochfrequenzapplikationen
- Hochstrom-Applikationen mit niedrigem Tastverhältnis
- POL-DC/DC-Wandler
- Speicher- und Grafikkarten
- Desktop und Server VR12.x und VR13.x V-Core synchrone Abwärtswandler
- Hochstrom-POL für Netzwerkkommunikationen
Vereinfachte Applikation
Veröffentlichungsdatum: 2019-03-20
| Aktualisiert: 2023-08-07