STMicroelectronics SCTWA90N65G2Vx 650-V-Leistungs-MOSFETs

STMicroelectronics SCTWA90N65G2Vx 650-V-Leistungs-MOSFETs sind Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs mit 18 mΩ (typisch) und 119 A Nennwerten. Diese Leistungs-MOSFETs sind in einem HiP247- und HiP247-4-Gehäuse verfügbar. Die SCTWA90N65G2Vx 650-V-Leistungs-MOSFETs verfügen über eine extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazitäten, eine Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung und einen Quellen-Sensor-Pin für einen höheren Wirkungsgrad. Diese MOSFETs wurden unter Verwendung der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Zu den Applikationen gehören Stromversorgung für erneuerbare Energiesysteme, Hochfrequenz-DC/DC-Wandler, Ladestationen, Schaltnetzteile, DC/DC-Wandler und Industrie-Motorsteuerung.