STMicroelectronics EVSTGAP2GS Demonstrationsboard
Das STMicroelectronics EVSTGAP2GS Demonstrationsboard ist zur Evaluierung des STGAP2GS isolierten Einzel-Gate-Treibers ausgelegt. Der STGAP2GS umfasst eine 2 A Quellen-/3A-Senkenfähigkeit und Rail-to-Rail-Ausgänge. Diese Funktionen machen das Bauteil ideal für Wechselrichterapplikationen mit mittlerer und hoher Leistung. Das Bauteil optimiert die Einschalt- und Ausschaltfunktion mit dedizierten gate-Widerständen unabhängig.Das EVSTGAP2GS board von STMicro ermöglicht die Evaluierung aller STGAP2GS Optionen, die die SGT120R65AL 75 mΩ, 650 V E-Modus-GaN-Transistoren ansteuern. Die Board-Komponenten sind leicht zugänglich und modifiziert, wodurch die Evaluierung der Treiberleistung unter verschiedenen Applikationsbedingungen und die Feineinstellung der Endkomponenten vereinfacht wird.
Merkmale
- Bauelement
- Hochspannungsschiene bis zu 1200 V
- 2A/3A Quelle/Senke bei +25 °C, VH = 6 V Treiberstrombelastbarkeit
- Separate Senke und Quelle für eine einfache Gate-Treiber-Konfiguration
- 45 ns Ein-/Ausgangs-Laufzeitverzögerung
- UVLO-Funktion optimiert für GaN
- Gate-Ansteuerspannung bis zu 15 V
- 3,3 V, 5 V TTL/CMOS-Eingänge mit Hysterese
- Übertemperaturschutz
- Board
- Halbbrückenkonfiguration, Hochspannungsschiene bis zu 650 V
- SGT120R65AL mit 650 V, 75 mΩ typ., 15 A, E-Modus-PowerGaN-Transistor
- Negativer Gate-Treiber
- Integrierte isolierte DC/DC-Wandler zur Versorgung von High-Side- und Low-Side-Gate-Treibern, gespeist von VAUX = 5 V, mit einer maximalen Isolierung von 5,2 kV
- VDD-Logik wird von den eingebauten 3,3 V oder VAUX = 5 V versorgt
- Einfache Steckbrückenauswahl der Ansteuerspannungskonfiguration: + 6 V/0 V; + 6 V/-3 V
Komponentenplatzierung oben
Veröffentlichungsdatum: 2023-06-20
| Aktualisiert: 2023-06-26
