STMicroelectronics STN6N60M2 MDmesh-M2-Leistungs-MOSFET
Der STMicroelectronics STN6N60M2 MDmesh-M2-Leistungs-MOSFET ist ein n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der über einen niedrigen Einschaltwiderstand und optimierte Schalteigenschaften verfügt. Dieser Leistungs-MOSFET ist mit der MDmesh-M2-Technologie ausgelegt. Der STN6N60M2 MOSFET bietet eine extrem niedrige Gate-Ladung und ein ausgezeichnetes Ausgangskapazitätsprofil (Coss). Dieser Leistungs-MOSFET ist Zener-geschützt und zu 100 % Avalanche-getestet. Der STN6N60M2 MOSFET eignet sich hervorragend für Schaltapplikationen.
Merkmale
- Extrem geringe Gate-Ladung
- Hervorragendes Ausgangskapazitätsprofil (Coss)
- 100 % Avalanche-getestet
- Zener-geschützt
Technische Daten
- Gate-Quellenspannung: ±25 VGS
- Drainstrom von 5,5 A bei TC = 25 °C
- Drainstrom von 3,5 A bei TC = 100 °C
- Drainstrom: 8 A (gepulst)
- Gesamtverlustleistung: 6 W
- Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C
Übersicht
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Veröffentlichungsdatum: 2020-08-10
| Aktualisiert: 2025-01-14