STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT mit Diode
Der STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT mit Diode kombiniert zwei IGBTs und Dioden in einer Halbbrücken-Topologie. Der STMicroelectronics STGSH50M120D ist auf einem sehr kompakten und robusten, einfach oberflächenmontierbaren Gehäuse montiert. Das Bauteil ist in Leitungs- und Schaltverlusten für eine hartschaltende Kommutierung optimiert, bei der eine Kurzschlussfestigkeit ein wesentliches Merkmal ist. Eine Freilaufdiode mit einer Durchlassspannung mit geringem Spannungsabfall ist in jedem Schalter enthalten. Das Ergebnis ist ein Produkt, das speziell zur Maximierung des Wirkungsgrads und der Leistungsdichte in Industrieantrieben ausgelegt ist.Merkmale
- Verlustarme und kurzschlussfeste IGBTs
- TJ = +175 °C maximale Sperrschichttemperatur
- VCE(sat) = 1,8 V (typ.) bei IC = 50 A
- Reduzierter Nachlaufstrom
- Strikte Parameterverteilung
- Niedriger thermischer Widerstand
- Positiver Temperaturkoeffizient VCE(sat)
- Sanfte und schnelle antiparallele Freilaufdiode
- Nennisolierung von 3,4 kVRMS/min
Applikationen
- Motorantriebe
- Industrielle Motorsteuerung
Elektrische Topologie und pin-Positionierung
Videos
Veröffentlichungsdatum: 2024-12-17
| Aktualisiert: 2025-07-22
