STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT mit Diode

Der STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT mit Diode   kombiniert zwei IGBTs und Dioden in einer Halbbrücken-Topologie. Der STMicroelectronics  STGSH50M120D ist auf einem sehr kompakten und robusten, einfach oberflächenmontierbaren Gehäuse montiert. Das Bauteil ist in Leitungs- und Schaltverlusten für eine hartschaltende Kommutierung optimiert, bei der eine Kurzschlussfestigkeit ein wesentliches Merkmal ist. Eine Freilaufdiode mit einer Durchlassspannung mit geringem Spannungsabfall ist in jedem Schalter enthalten. Das Ergebnis ist ein Produkt, das speziell zur Maximierung des Wirkungsgrads und der Leistungsdichte in Industrieantrieben ausgelegt ist.

Merkmale

  • Verlustarme und kurzschlussfeste IGBTs
  • TJ = +175 °C maximale Sperrschichttemperatur
  • VCE(sat) = 1,8 V (typ.) bei IC = 50 A
  • Reduzierter Nachlaufstrom
  • Strikte Parameterverteilung
  • Niedriger thermischer Widerstand
  • Positiver Temperaturkoeffizient VCE(sat)
  • Sanfte und schnelle antiparallele Freilaufdiode
  • Nennisolierung von 3,4 kVRMS/min

Applikationen

  • Motorantriebe
  • Industrielle Motorsteuerung

Elektrische Topologie und pin-Positionierung

STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT mit Diode

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Veröffentlichungsdatum: 2024-12-17 | Aktualisiert: 2025-07-22