STMicroelectronics MDmesh™ DM6 600-V-Super-Junction-MOSFETs
STMicroelectronics MDmesh™ DM6 600V-Super-Junction-MOSFETs sind für ZVS-, Vollbrücken- und Halbbrücken-Topologien optimiert. Mit einer Durchlassspannung von 600 V kombinieren die MDmesh DM6 Leistungs-MOSFETs ein optimiertes Kapazitätsprofil mit Lebensdauertotzeitverfahren. Die MDmesh DM6 MOSFETs bieten eine niedrige Gate-Ladung (Qg), sehr niedrige Freilaufladung (Qrr), langsame Recoveryzeit (trr) und einen hervorragenden-RDS(on) pro Bereich.
Merkmale
- Extrem niedriger RDS(on)-Bereich, niedrige Gate-Ladung (Qg) und eine sehr niedrige Freilaufladung (Qrr)
- Optimiertes Kapazitätsprofil für leichte Lastbedingungen
- Extrem hohe dv/dt
- Optimierte Bodydioden-Freilaufphase
- Optimierte Nachgiebigkeit
- Extrem hoher Wirkungsgrad und erhöhte Leistungsdichte
- Robuste Stromumwandlung in ZVS-, Vollbrücken- und Halbbrückentopologien
- Hohe Betriebsfrequenzen und hervorragendes Wärmemanagement
- Niedrige EMI
Applikationen
- Ladestationen für Elektrofahrzeuge
- LED-Beleuchtung
- Telekommunikation
- Server
- Solar-Wechselrichter
Pegeldiagramm der Baureihe
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Veröffentlichungsdatum: 2018-11-15
| Aktualisiert: 2023-02-23