STMicroelectronics H6/F6 p-Kanal-MOSFETs für die Automobilindustrie
STMicroelectronics H6/F6 p-Kanal-MOSFETs für die Automobilindustrie wurden mit der STripFET™ H6/F6-Technologie entwickelt. Das Ergebnis sind Leistungs-MOSFETs mit sehr niedrigem RDS(on) in allen Gehäusen.
Merkmale
- Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
- Low on-resistance
- Low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
Technische Daten
- -40VDS
- 15mΩ maximum RDS(on)
- -50A ID
Veröffentlichungsdatum: 2015-08-24
| Aktualisiert: 2022-03-11