STMicroelectronics EVSTGAP2SICSN/C Evaluierungsboards
STMicroelectronics EVSTGAP2SICSN/C Evaluierungsboards sind zur Evaluierung des STGAP2SICSN isolierten Einzelgate-Treibers ausgelegt. Der STGAP2SICSNTR 4-A-Einzelgate-Treiber bietet eine galvanische Trennung zwischen dem Gate-Treiberkanal und der Niederspannungssteuerung sowie der Schnittstellenschaltung.
Die EVSTGAP2SICSN/C Boards von STM ermöglichen die Evaluierung aller Funktionen des STGAP2SICSN bei gleichzeitiger Ansteuerung einer Halbbrücken-Leistungsstufe mit einer Nennspannung von bis zu 520 V. Die Erhöhung der Busspannung wird durch den Austausch der Leistungsschalter mit geeigneten Bauteilen in einem H2PACK-7L- oder H2PACK-2L-Gehäuse und bei Bedarf der C29-Kapazität ermöglicht. Die Board-Bauelemente sind leicht zugänglich und einfach zu modifizieren, um die Evaluierung der Treiberleistung unter verschiedenen Applikationsbedingungen und die Feinanpassung der Bauelemente für die Endapplikation zu vereinfachen.
Merkmale
- Board
- Halbbrücken-Konfiguration, Hochspannungsschiene von bis zu 520 V
- SCT35N65: 650-V-SiC-MOSFET mit 55 mΩ
- Negative Gate-Ansteuerung
- Isolierte On-Board-DC/DC-Wandler zur Versorgung von High-Side- und Low-Side-Gate-Treibern, die von VAUX = 5 V mit einer maximalen Isolierung von 5,2 kV gespeist werden
- Logikversorgung von 3,3 V VDD wird auf dem Board erzeugt oder 5 V (extern angelegt)
- Einfache Steckbrückenauswahl der Ansteuerspannungskonfiguration: +17/0 V, +17/-3 V, +19/0 V, +19/-3 V
- Bauteil
- Treiberstrombelastbarkeit: 4 A Quelle/Senke bei 25 °C
- Separater Senken- und Quellenausgang für einfache Gate-Ansteuerkonfiguration
- Kurze Laufzeitverzögerung: 75 ns
- UVLO-Funktion
- Gate-Ansteuerspannung bis zu 26 V
- 3,3 V, 5V-TTL/CMOS-Eingänge mit Hysterese
- Übertemperaturschutz
- Standby-Funktion
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