STMicroelectronics EVSTGAP2SICSANC Demonstrationsboard
Das STMicroelectronics EVSTGAP2SICSANC Demonstrationsboard ist für den STGAP2SICSANC isolierten Einzel-Gate-Treiber ausgelegt und steuert eine Halbbrücken-Leistungsstufe mit einer Nennspannung von bis zu 520 V an. Dieses Demonstrationsboard implementiert eine negative gate-Ansteuerung und die isolierten On-board-DC/DC-Wandler ermöglichen den Betrieb mit optimierter Ansteuerspannung für SiC-MOSFET. Die EVSTGAP2SICSAC Board-Komponenten sind einfach zugänglich und zu ändern, um die Treiberleistung unter verschiedenen Applikationsbedingungen zu evaluieren. Dieses Demonstrationsboard eignet sich hervorragend für Wechselrichterapplikationen mit mittlerer und hoher Leistung, wie z. B. Motortreiber in Industrieapplikationen, die mit SiC-MOSFET-Leistungsschaltern ausgestattet sind.
Merkmale
- Halbbrückenkonfiguration, Hochspannungsschiene bis zu 520 V
- 650 V, 58 mΩ typ. und 30 A SCT055H65G3AG SiC-MOSFET der 3. generation
- VDD -Logikschaltung wird von On-Board-generiertem 3,3 V oder VAUX = 5 V versorgt
- Negativer Gate-Antrieb
- 17V/0V, 17V/-3V, 19V/0V und 19V/-3V Steckbrückenauswahl der Ansteuerspannungskonfiguration
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STMicroelectronics Standardprodukte
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Veröffentlichungsdatum: 2023-07-14
| Aktualisiert: 2023-07-31