STMicroelectronics EVSTGAP2SICSAC Demonstrationsboard
Das STMicroelectronics EVSTGAP2SICSAC Demonstrationsboard ist zur Evaluierung des STGAP2SICSAC isolierten Einzel-gate-Treibers ausgelegt und steuert eine Halbbrücken-Leistungsstufe mit einer Spannung von bis zu 520 V an. Dieses Demonstrationsboard ermöglicht dem Benutzer, die Busspannung des zu erhöhen, indem die Leistungsschalter durch geeignete Bauteile in einem H2PACK-7L- oder H2PACK-2L- oder HU3PAK-Gehäuse ersetzt werden. Das EVSTGAP2SICSAC board implementiert eine negative gate-Ansteuerung und die isolierten On-Board-DC/DC-Wandler ermöglichen den Betrieb mit optimierter Ansteuerspannung für SiC-MOSFET. Dieses Demonstrationsboard eignet sich hervorragend für Wechselrichterapplikationen mit mittlerer und hoher Leistung, wie z. B. Motortreiber in Industrieapplikationen, die mit SiC-MOSFET-Leistungsschaltern ausgestattet sind.
Merkmale
- Halbbrückenkonfiguration, Hochspannungsschiene bis zu 520 V
- SCT055H65G3AG 650 V, 58 mΩ typ. und 30 A SiC-MOSFET der 3. generation
- Negativer gate-Antrieb
- 17V/0V, 17V/-3V, 19V/0V und 19V/-3 V Steckbrückenauswahl der Ansteuerspannungskonfiguration
- Isolierte On-board-DC/DC-Wandler zur Versorgung von high-Side- und low-side-gate-Treibern, die von VAUX = 5 V mit maximaler 5,2 kV Isolierung versorgt werden
- VDD Logikschaltung wird von on-board-generiertem 3,3 V oder VAUX = 5 V versorgt
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STMicroelectronics Standardprodukte
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Veröffentlichungsdatum: 2023-07-14
| Aktualisiert: 2023-08-09