STMicroelectronics MDmesh DK5 MOSFETs
Die MDmesh DK5 MOSFETs von STMicroelectronics sind schnelle Freilaufdioden mit sehr hoher Spannung und einer Durchschlagspannung von 950 bis 1050 V. Die DK5 haben eine sehr niedrige Gate-Ladung so niedrig wie 45 nC und eine Sperrverzögerungszeit (trr) von 250 ns (typisch). Somit eignet sich MDmesh DK5 ideal für ZVS-LLC-Resonanzwandler in Hochleistungs-Applikationen. Diese Applikationen umfassen industrielle Schweißgeräte, Plasmageneratoren, hochfrequente Induktionsschmelz-/Erwärmungsgeräte und Röntgengeräte. Die MDmesh DK5 MOSFET-Baureihe ist zudem die ideale Lösung für hartschaltende Topologien dank des niedrigen On-Widerstands (RDS(on)) von 0,12 Ω (VGS = 10 V, ID = 23 A) und einer ausgezeichneten Robustheit. Die DK5 sind in einer Vielzahl von Gehäusen zur Durchsteckmontage als auch SMD-Leistungsgehäusen erhältlich, darunter auch Long-Lead-TO-247- und ISOTOP-Gehäuse.
The MDmesh DK5 MOSFET series is also ideal for hard switching topologies thanks to the low on-resistance (RDS(on)) of 0.12Ω (VGS = 10V, ID = 23A ) and excellent ruggedness. The DK5 are available in a wide range of through-hole and SMD power packages including long-lead TO-247 and ISOTOP packages.
Merkmale
- Fast-recovery body diode
- Best RDS(on) x area
- Low gate charge, input capacitance, and resistance
- 100% avalanche tested
- Extremely high dv/dt ruggedness
Applikationen
- Switching applications
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Große Auswahl von Durchschlagspannungen von -500 V bis 1.500 V.
Veröffentlichungsdatum: 2017-06-14
| Aktualisiert: 2026-01-21