STMicroelectronics Balun-Transformer

STMicroelectronics Balun-Transformer verwenden das Verfahren von ST zur Integration von hochwertigen passiven HF-Bauelementen auf ein einzelnes Glassubstrat. Für den vollständigen Funktionsumfang können diese Baluns neben symmetrischer/unsymmetrischer Umwandlung auch ein Anpassungsnetzwerk in einen Footprint von weniger als 1 mm² integrieren. Die Baluns sind mit der IDP-Technologie (Integrated Passive Device) von STMicroelectronics auf dem nicht leitfähigen Glassubstrat zur Optimierung der HF-Leistung ausgelegt. Diese Baluns enthalten Companion-Chips für die Transceiver von ST und tragen zu einer deutlich reduzierten HF-Komplexität bei und bieten ein optimiertes Link-Budget. Die Balun-Transformer enthalten drei Funktionen: ein Impedanz-Matching, eine Nennimpedanz von 50 Ω und ein Oberwellenfilter.

Merkmale

Integration:
- Integrierter angepasster Balun mit Oberwellenfilter
- Kleine Gehäusegröße von 0,8 mm² im Vergleich zu 60 mm² einer diskreter HF-Lösung
- Eine Höhe nach dem Löten von weniger als 560 µm
Einfachheit:
- Ersetzt diskretes SMD-Anpassungsnetzwerk
- Einzelchip-Lösung

Leistungsfähigkeit:
- Verbesserung der HF-Leistung und Verlängerung der Batterielaufzeit
- Geringe Einfügungsdämpfung
- Geringe Amplitudendifferenz
- Geringe Phasendifferenz