STMicroelectronics EVLSTGAP3S6S Halbbrücken-Evaluierungsboard
Das EVLSTGAP3S6S Halbbrücken-Evaluierungsboard von STMicroelectronics ist für die Evaluierung des STGAP3S6S isolierten Einzelgate-Treibers ausgelegt. Der STGAP3S6S zeichnet sich durch eine Strombelastbarkeit von 6 A, Rail-to-Rail-Ausgänge und optimierte UVLO- und DESAT-Schutzschwellenwerte für SiC-MOSFETs aus. Diese Funktion macht das Bauteil optimal für Hochleistungs-Motortreiber in Industrieapplikationen. Der Gate-Treiber verfügt über einen separaten Ausgangspin und eine Treiberleitung für einen externen Miller-Klemmen-n-Kanal-MOSFET. Diese Option optimiert die Unterdrückung von positiven und negativen Gate-Spitzen während schneller Kommutierung in Halbbrücken-Topologien.
Das Board wird über die 5 V VAUX-Verbindung versorgt, die die isolierten DC/DC-Wandler für die Low-Side- und High-Side-Treiberbereiche versorgt. Der VAUX kann die Gate-Treiber direkt versorgen, wenn ein 5 V MCU verwendet wird oder über den On-Board-Linearregler, wenn ein 3,3 V MCU verwendet wird. Die PWM- und Reset-Eingänge können einfach über dedizierte Steckverbinder gesteuert werden, während Diagnoseausgänge mit einer On-Board-LED verbunden sind.
Die Schutzfunktionen des Bauteils (Entsättigung, sanfte Abschaltung und Miller-Klemme) sind mit dem empfohlenen Netzwerk auf dem Board verbunden und können über die Testpunkte des Boards einfach evaluiert werden. Dual-Eingangspins ermöglichen die Auswahl der Signalpolaritätssteuerung und die Implementierung eines HW-Verriegelungsschutzes, um Querströme im Falle einer Fehlfunktion des Controllers zu verhindern. Das Bauteil ermöglicht die Implementierung von negativem Gate-Antrieb und die isolierten On-Board-DC/DC-Wandler ermöglichen den Betrieb mit optimierter Ansteuerspannung für SiC-MOSFETs.
Das EVLSTGAP3S6S Board von STMicroelectronics ermöglicht die Evaluierung aller Funktionen des STGAP3S6S bei einem Betrieb mit einer Busspannung von bis zu 520 V. Die Busspannung kann bei Bedarf auf 1.200 V erhöht werden, indem die beiden SiC-MOSFETs durch geeignete Bauteile in einem H2PAK-7-Gehäuse und die C4-Kapazität ersetzt werden.
Merkmale
- STGAP3SXS Bauelement
- Treiberstrombelastbarkeit: 6 A Quelle/Senke bei 25 °C
- Eingangs-/Ausgangs-Laufzeitverzögerung insgesamt: 75 ns
- Miller Klemmen-Treiber für externen n-Kanal-MOSFET
- Einstellbare, sanfte Abschaltfunktion
- UVLO-Funktion
- Entsättigungsschutz
- Gate-Ansteuerspannung bis zu 32 V
- Negative Gate-Treiberspannung
- 3,3 V, 5 V TTL/CMOS-Eingänge mit Hysterese
- Übertemperaturschutz
- Verstärkte galvanische Isolierung
- Isolationsspannung VISO = 5,7 kVRMS (gemäß UL 1577)
- Transiente Überspannung VIOTM = 8 kVSPITZE (gemäß IEC 60747-17)
- Max. periodische Isolationsspannung VIORM = 1,2kVSPITZE (gemäß IEC 60747-17)
- Board
- Halbbrückenkonfiguration
- Hochspannungsschiene bis zu 520 V (begrenzt durch die Nennspannung des MOSFETs und Kondensators)
- SCTH60N120G2-7 SiC-MOSFETs (1.200 V, 52 mΩ, 60 A)
- Kompatibel mit 5 V und 3,3 V MCUs
- VDD-Logikschaltung, die von On-Board-generierten 3,3 V oder VAUX = 5 V geliefert wird
- Isolierte On-Board-DC/DC-Wandler zur Versorgung von High-Side- und Low-Side-Gate-Treibern, die von VAUX = 5 V mit einer maximalen Isolierung von 5,2 kVpkversorgt werden
- Einfache Steckbrückenauswahl der Ansteuerspannungskonfiguration (+19/0 V, +19/-4,7 V, +17/0 V oder +17/-4,7 V)
- Fehler-LED-Anzeigen
- Maximale Betriebsspannung über Isolation von 1.200 V
- RoHS-konform
Board-Layout
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