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ROHM Semiconductor SH8K Dual Nch+Nch Leistungs-MOSFETs

Die SH8K Dual Nch+Nch Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor verfügen über zwei 40-V- oder 60-V-MOSFETs in einem kleinen oberflächenmontierbaren SOP8-Gehäuse mit acht Anschlüssen. Die SH8K-Baureihe bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand und einen maximalen RDS(on) von 8,4 mΩ, 12,4 mΩ oder 19,4 mΩ. Weitere Merkmale sind die 2 W Verlustleistung und die ±8,5 A, ±10,5 oder ±13,5 A Drainstrom-ID. Diese RoHS-konformen MOSFETs sind halogenfrei und verwenden eine Pb-freie Beschichtung. Die SH8K Dual Nch+Nch Power MOSFETs von ROHM Semiconductor sind ideal für Schaltanwendungen geeignet.

Merkmale

  • Doppelte Nch+Nch-Polarität
  • 8 Anschlüsse
  • Niedriger Einschaltwiderstand
  • Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse (SOP8)
  • Ideal für Schaltanwendungen
  • Bleifreie Beschichtung
  • RoHS-konform
  • Halogenfrei

Technische Daten

  • 40 V oder 60 V Drain-Quellenspannung (VDSS)
  • 8,4 mΩ, 12,4 mΩ oder 19,4 mΩ RDS(on) max.
  • ±8,5 A, ±10,5 oder ±13,5 A Drainstrom-ID
  • 2 W Verlustleistung

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Teilnummer Datenblatt Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Qg - Gate-Ladung
SH8KB7TB1 SH8KB7TB1 Datenblatt 40 V 13.5 A 8.4 mOhms 27 nC
SH8KE6TB1 SH8KE6TB1 Datenblatt 100 V 4.5 A 58 mOhms 6.7 nC
SH8KE7TB1 SH8KE7TB1 Datenblatt 100 V 8 A 20.9 mOhms 19.8 nC
SH8KA4TB1 SH8KA4TB1 Datenblatt 30 V 9 A 21.4 mOhms 15.5 nC
SH8KB6TB1 SH8KB6TB1 Datenblatt 40 V 8.5 A 19.4 mOhms 10.6 nC
SH8KC7TB1 SH8KC7TB1 Datenblatt 60 V 10.5 A 12.4 mOhms 22 nC
Veröffentlichungsdatum: 2021-06-30 | Aktualisiert: 2023-09-07