Zurück zu ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40-V-P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET

Das -40-V-P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET RQ5G040AT von ROHM Semiconductor ist ein Bauteil mit einer Drain-Source-Spannung (VDSS) von -40 V und einem Dauer-Drain-Strom (ID) von ±4,0 A. Der Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS(ON)] beträgt 46,0 mΩ (max.) (VGS = -10 V, ID = -4,0 A) und das Bauteil ist einem 2,8 mm x 2,9 mm SOT-346T-Gehäuse (TSMT3) erhältlich. Das MOSFET RQ5G040AT von ROHM Semiconductor ist ideal für Schalt- und Motorantriebsanwendungen.

Merkmale

  • Geringe Einschaltwiderstände
  • Kleines Gehäuse für Oberflächenmontage – SOT-346T (TSMT3)
  • Bleifreie Anschlussbeschichtung und RoHS-konform
  • Halogenfrei
  • 100 % Rg- und UIS-getestet

Applikationen

  • Schalten
  • Motorantriebe

Technische Daten

  • Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS(ON)]
    • 46,0 mΩ (max.) (VGS = -10 V,ID = -4,0 A)
    • 57,0 mΩ (max.) (VGS = -4,5 V, ID = -4,0 A)
  • Verlustleistung (PD): 1,0 W
  • Gesamt-Gate-Ladung (Qg)
    • 16,8 nC (typ.) (VDD = -20 V, ID = -4 A, VGS = -10 V)
    • 8,5 nC (typ.) (VDD = -20 V, ID = -4 A, VGS = -4,5 V)
  • Sperrschichttemperatur (Tj): +150 °C

Schaltplan

Schaltplan - ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40-V-P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET

Gehäusediagramm

Technische Zeichnung - ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40-V-P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2025-07-25 | Aktualisiert: 2025-08-19