Zurück zu ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor RH7G04 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs RH7G04 von ROHM Semiconductor sind MOSFETs im Automobilstandard mit einer Drain-Source-Spannung (VDSS) von 40 V und einem Dauersenkenstrom (ID) von ±40 A, die nach AEC-Q101 zugelassen sind. Diese MOSFETs verfügen über einen niedrigen Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS(ON)] und sind in einem 3,3 mm x 3,3 mm DFN-8 (DFN3333T8LSAB)-Gehäuse erhältlich. Die MOSFETs RH7G04 von ROHM Semiconductor eignen sich ideal für Fahrerassistenzsysteme (ADAS), Informations-, Beleuchtungs- und Karosserieanwendungen.

Merkmale

  • Produkt mit benetzbaren Flanken
  • AEC-Q101-zugelassen
  • 100 % Avalanche-getestet

Applikationen

  • ADAS
  • Informationen
  • Beleuchtung
  • Karosserie

Technische Daten

  • Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS(ON)]
    • RH7G04BBKFRA
      • 3,1 mΩ (max.) (VGS = 10 V, ID = 20 A)
      • 5,8 mΩ (max.) (VGS = 4,5 V, ID = 10 A)
    • RH7G04CBLFRA
      • 5,8 mΩ (max.) (VGS = 10 V, ID = 20 A)
      • 8,7 mΩ (max.) (VGS = 4,5 V, ID = 10 A)
    • RH7G04DBKFRA
      • 12,6 mΩ (max.) (VGS = 10 V, ID = 20 A)
      • 23,9 mΩ (max.) (VGS = 4,5 V, ID = 10 A)
  • Verlustleistung (PD)
    • RH7G04BBKFRA – 75 W
    • RH7G04CBLFRA – 62 W
    • RH7G04DBKFRA – 33 W
  • Gesamt-Gate-Ladung (Qg)
    • RH7G04BBKFRA
      • 26,8 nC (typ.) (VDD = 20 V, ID = 10 A, VGS = 10 V)
      • 13,5 nC (typ.) (VDD = 20 V, ID = 10 A, VGS = 4,5 V)
    • RH7G04CBLFRA
      • 17,7 nC (typ.) (VDD = 20 V, ID = 10 A, VGS = 10 V)
      • 8,9 nC (typ.) (VDD = 20 V, ID = 10 A, VGS = 4,5 V)
    • RH7G04DBKFRA
      • 7,6 nC (typ.) (VDD = 20 V, ID = 10 A, VGS = 10 V)
      • 4,2 nC (typ.) (VDD = 20 V, ID = 10 A, VGS = 4,5V)

Schaltplan

Schaltplan - ROHM Semiconductor RH7G04 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Gehäusediagramm

Technische Zeichnung - ROHM Semiconductor RH7G04 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs
Veröffentlichungsdatum: 2025-07-24 | Aktualisiert: 2025-08-19