ROHM Semiconductor RGT20NL65 Field-Stop-Trench-IGBT
Der Field Stop Trench IGBT RGT20NL65 von ROHM Semiconductor zeichnet sich durch eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung aus und eignet sich ideal für allgemeine Wechselrichter-, USV-, Power Conditioner- und Schweißanwendungen. Der ROHM RGT20NL65 Field Stop Trench IGBT bietet eine Kurzschlussfestigkeit von 5 μs. Darüber hinaus ist der Baustein für eine Gate-Emitter-Spannung von ±30 V und einen Kollektorstrom von 20 A bei 25 °C spezifiziert.
Merkmale
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- Niedriger Schaltverlust
- KurzschlussFestigkeit: 5 µs
- Bleifreie Beschichtung von Leitungen
- RoHS-konform
Applikationen
- Universal-Wechselrichter
- USV
- Leistungskonditionierer
- Schweißgerät
Verwandte Produkte
ROHM Semiconductor Field Stop Trench IGBTs
High-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications.
Gehäuseausführung
Veröffentlichungsdatum: 2021-03-31
| Aktualisiert: 2022-03-11