ROHM Semiconductor RGSX5TS65 650-V-Field-Stop-Trench-IGBTs
Die RGSX5TS65 650-V-75-A-Field-Stop-Trench-IGBTs von ROHM Semiconductor zeichnen sich durch eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung aus. Der RGSX5TS65 verfügt über eine Kurzschlussfestigkeitszeit von 8μs. Er ist AEC-Q101-qualifiziert und verfügt über eine bleifreie bleiplattierung.
Merkmale
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- Kurzschlussfestigkeitszeit: 8 μs
- AEC-Q101 qualifiziert
- Bleifreie Anschlussleitung; RoHS-konform
Applikationen
- Heizsystem für Kraftfahrzeuge
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| Teilnummer | Datenblatt | Beschreibung |
|---|---|---|
| RGSX5TS65HRC11 |  |
IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, Automotive Field Stop Trench IGBT |
| RGSX5TS65DHRC11 | |
IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT |
| RGSX5TS65EGC11 | |
IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT |
| RGSX5TS65EHRC11 | |
IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT |
Veröffentlichungsdatum: 2021-07-19
| Aktualisiert: 2022-03-11