ROHM Semiconductor RFx30TZ6S & RFx60TZ6S Ultra Fast Recovery-Dioden
Die Ultra Fast Recovery-Dioden RFx30TZ6S und RFx60TZ6S von ROHM Semiconductor sind planare Silizium-Epitaxie-Dioden, die eine Spitzensperrspannung von 650 V und einen gleichgerichteten Vorwärtsstrombereich von 30 A bis 60 A bieten. Diese Bauteile zeichnen sich durch eine schnelle Erholungszeit, extrem niedrige Schaltverluste und eine hohe Stromüberlastfähigkeit aus.
Die Ultra Fast Recovery-Dioden RFx30TZ6S und RFx60TZ6S von ROHM Semiconductor werden in einem TO-247-2L-Gehäuse nach Industriestandard mit einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175 ℃ angeboten.
Merkmale
- Planare Silizium-Epitaxiestruktur
- 650-V-Sperrspannung
- 30 A bis 60 A gleichgerichteter Durchlassstrombereich
- Ultraschnelle Erholung
- Ultrasanfte Erholung
- Ultraniedriger Schaltverlust
- Hohe Stromüberlastbarkeit
- TO-247-2L-Gehäuse
Applikationen
- Allgemeines Gleichrichten
- PFC-Stromversorgungen
Rausch-Leistungsvergleichswellenformen
Vergleichskarte für VF- und trr-Merkmale
Pin-Bezeichnungen
Gehäuseabmessungen
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| Teilnummer | Datenblatt | Max. Spitzenstrom | If - Durchlassstrom | Rückstellungszeit | Vf - Durchlassspannung | Verpackung/Gehäuse |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RFS30TZ6SGC13 |  |
160 A | 30 A | 38 ns | 2.3 V | TO-247-2 |
| RFL30TZ6SGC13 | |
200 A | 30 A | 70 ns | 1.5 V | TO-247-2 |
| RFS60TZ6SGC13 | |
250 A | 60 A | 48 ns | 2.3 V | TO-247-2 |
| RFL60TZ6SGC13 | |
320 A | 60 A | 90 ns | 1.5 V | TO-247-2 |
Veröffentlichungsdatum: 2022-03-14
| Aktualisiert: 2022-07-12