ROHM Semiconductor QS6Kx Nch+Nch Automotive-MOSFETs
Die QS6Kx Nch+Nch Fahrzeug-MOSFETs von ROHM Semiconductor sind MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand, die mit einer eingebauten G-S-Schutzdiode geliefert werden. Diese MOSFETs sind AEC-Q101-qualifiziert und verfügen über einen Dauersenkenstrom (ID) ±1 A. Die QS6Kx MOSFETs sind in einem kleinen oberflächenmontierbaren Gehäuse (TSMT6) verfügbar. Die QS6Kx MOSFETs von ROHM Semiconductor eignen sich für Leistungsschaltapplikationen.
Merkmale
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Integrierte G-S-Diode
- AEC-Q101-qualifiziert
- Kleines Gehäuse zur Oberflächenmontage (TSMT6)
Technische Daten
- QS6K1FRA
- 30 V Drain-Source-Spannung (VDSS)
- QS6K21FRA
- 45 V Drain-Source-Spannung (VDSS)
- Gemeinsamer
- ±1 A Dauersenkenstrom (ID)
- 1,25 WW Verlustleistung (PD)
- -55 °C bis +150 °C Betriebstemperaturbereich
QS6K1FRA Ersatzschaltung
QS6K21FRA Interne Schaltung
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| Teilnummer | Datenblatt | Beschreibung | Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung | Rds On - Drain-Source-Widerstand | Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung | Qg - Gate-Ladung | Anstiegszeit | Abfallzeit |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| QS6K1FRATR |  |
MOSFETs 0.26Rds(on) 1.7Qg | 30 V | 238 mOhms | 1.5 V | 1.7 nC | 7 ns | 6 ns |
| QS6K21FRATR | |
MOSFETs 0.415Rds(on) 1.5Qg | 45 V | 420 mOhms | 1.5 V | 1.5 nC | 8 ns | 7 ns |
Veröffentlichungsdatum: 2020-11-18
| Aktualisiert: 2024-10-29