ROHM Semiconductor PBZLx Zener-Dioden
PBZLx Zener-Dioden von ROHM Semiconductor sind für Spannungsregelungsanwendungen ausgelegt und verfügen über einen maximalen Leistungsverlust von 1000 mW. Diese Dioden sind hochzuverlässig und werden in der DO-214AA (SMB) kleinen Leistungsform-Verpackung geliefert. Die PBZLx Zener-Dioden sind RoHs-konform und arbeiten in einem Temperaturbereich von -55°C bis 150°C.
Merkmale
- Hochzuverlässig
- Kleine Leistungsform
- Silizium-Epitaxie-Planar-Aufbau
- 1000 mW Verlustleistung
- Sperrschichttemperatur 150 °C
- Lagertemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C
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| Teilnummer | Datenblatt | Ir – Maximaler Sperrstrom | Pd - Verlustleistung | Vz - Zener-Spannung | Zener-Strom | Zz - Zener-Impedanz | Maximale Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PBZLTBR1110 |  |
5 uA | 1 W | 110 V | 2 mA | 530 Ohms | + 150 C |
| PBZLTBR1120 | |
5 uA | 1 W | 120 V | 2 mA | 620 Ohms | + 150 C |
| PBZLTBR1130 | |
5 uA | 1 W | 130 V | 2 mA | 1.1 kOhms | + 150 C |
| PBZLTBR162 | |
5 uA | 1 W | 62 V | 2 mA | 220 Ohms | + 150 C |
| PBZLTBR175 | |
5 uA | 1 W | 75 V | 2 mA | 250 Ohms | + 150 C |
| PBZLTBR1100 | |
5 uA | 1 W | 100 V | 2 mA | 430 Ohms | + 150 C |
| PBZLTBR1150 | |
5 uA | 1 W | 150 V | 2 mA | 1.25 kOhms | + 150 C |
| PBZLTBR151 | |
5 uA | 1 W | 51 V | 2 mA | 220 Ohms | + 150 C |
| PBZLTBR156 | |
5 uA | 1 W | 56 V | 2 mA | 220 Ohms | + 150 C |
| PBZLTBR168 | |
5 uA | 1 W | 68 V | 2 mA | 230 Ohms | + 150 C |
Veröffentlichungsdatum: 2025-07-22
| Aktualisiert: 2025-08-04